第4章光电测试常用器件及检测电路2祥解.ppt

* * --- 光电导器件工作的物理基础 光照变化引起半导体材料电导变化的现象 存在于大多数半导体和绝缘体中，金属中不存在（大量自由电子） 1. 光电导效应 三、光电导器件及检测电路 光照射半导体材料 晶格原子/杂质原子的束缚电子吸收光子能量 被激发为传导态的自由电子 材料的载流子浓度增加 材料的电导率增大 光子激发产生的载流子仍保存在材料内部 ---- 内光电效应 * 1）光敏电阻结构 一块半导体材料两端加上电极，两端面接上电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内 图形符号 电阻率的变化表现为其间电阻值的变化 --- 光敏电阻 利用半导体光电导效应制成的器件 --- 光电导器件 2. 光敏电阻及其特性 * 2）常用光敏电阻材料 CdS，CdSe --- 可见光，灯光自动控制、照相机自动测光 PbS --- 近红外，火灾探测 InSb --- 3?m ~5 ?m波长 * 3）光敏电阻的特性 特点 --- 光谱响应范围宽、测光范围宽、灵敏度高、 器件无极性之分 材料不同--- 性能差别较大 ① 光电特性和光照指数 光敏电阻的光电导灵敏度 Gp--- 光敏电阻的光电导（西门子S，?-1） E--- 照度（勒克斯lx） Sg--- S/lx（S.m2/W） 光电流与照度的关系 --- 光电特性 ?--- 电压指数（与光电导体和电极材料之间的接触有关） ?--- 光照指数（与材料和入射光强弱有关） * ?=1 --- 光电流与光照度的线性关系 弱光照射 --- Ip与E有良好的线性关系； (?=1) 强光照射 --- 非线性(?=0.5) * ② 光谱特性 --- 相对灵敏度与波长的关系曲线 --- 灵敏度范围、峰值波长位置、各波长下灵敏度的相对关系 整个可见光区域 峰值波长：515~600nm --- 与人眼有关的仪器 （照相机、照度计、光度计） * * ③ 频率特性 共同点：相对输出随光调制频率的增加而减小 --- 非平衡载流子的产生与复合有一个时间过程（影响光敏电阻对变化光照的响应） 响应时间不同 --- 不同的截止频率 * ④ 伏安特性 虚线--- 额定功耗（不使电阻的实际功耗超过额定值） 一定的光照下，加到光敏电阻两端的电压与流过光敏电阻的亮电流之间的关系 不能使静态工作点位于虚线以外的区域 设计负载电阻 --- 不使负载线与额定功耗线相交 * ⑤ 温度特性 一定照度下，不同材料的亮电阻的温度系数有正有负--- 复杂 * 4）光敏电阻的使用要点 ① 用于模拟量时，只有在弱光照射下光电流与入射辐射通量 成线性关系 ② 用于光度量测试仪器时，必须对光谱特性曲线进行修正， 保证其与人眼的光谱光视效率曲线相符合 ③ 冷却灵敏面-—提高长波区灵敏度（光谱特性与温度有关， 温度低时，灵敏范围和峰值波长都向长波方向移动） ④ 不适于在高温下使用（温度特性复杂） ⑤ 要求带宽---牺牲灵敏度（频带宽度比较窄） ⑥ 设计负载电阻时，考虑额定功耗---负载值不宜很小 * 3、光敏电阻输入电路 设计---根据光电器件输出电信号的性质、大小以及光学和器件的噪声电平等初始条件（输出电平和通频带等技术要求）---最终确定电路的连接形式和具体工作参数 1）简单输入电路 --- 线性电路 负载线---确定对应于输入光通量变化的负载电阻上的输出信号 * Pmax---允许的最大耗散功率（产品目录中查出） --- 工作时超过这一数值，光敏电阻就容易损坏 I、U --- 通过光敏电阻的电流 和它两端的电压 ---- 解析法按线性电路规律计算 Pmax曲线的左下部分---允许的工作区域 伏安特性曲线 * 一定范围内光敏电阻的阻值R不随外电压改变，仅取决于入射光照度E Gp=SgE --- 光电导；Sg --- 光电导灵敏度；Gd --- 暗电导 * 入射光照度变化--- 通过光敏电阻的变化?R引起负载电流的变化?I --- 入射光照度的变化?E引起的负载电流和电压的变化量 当照射到光敏电阻上的光照度增加时，负载电阻的电流和电压也相应增大 微分 微分 SgE * --- 根据负载电阻RL和光敏电阻R的大小关系， 可确定电路的三种工作状态 a) 恒流偏置 ① 负载电阻RL --- 输入电路中的负载电阻比光敏电阻大得多(即RLR)时 负载电流与光敏电阻值无关，并且近似保持常数 --- 恒流偏置电路 * 随入射光照度?E的变化，负载电流的变化?I变为 --- 输出信号电流取决于光敏电阻和负载电阻的比值， 与偏置电压成正比 电压信噪比较高 --- 适用于高灵敏度测量 RL很大--- 为使光敏电阻正常