第三章氧化和薄膜制备技术要点.ppt

* * * 此处参照教材P107 * 确定氧化层厚度 确定等效的界面电荷密度Qss 3.4 二氧化硅层质量分析 热应力 SiO2（5×10-7K-1）与硅（2.6×10-6 K-1）的热膨胀系数不同，因此在结束氧化退出高温过程后会产生一定的热应力。对SiO2来说受到的是来自硅的压缩应力，这会导致硅片弯曲并产生缺陷，严重时氧化层发生破裂使硅片报废。所以，在加热或冷却过程中必须使硅片均匀受热，保持升温和降温速率不能太大。 3.4 二氧化硅层质量分析 二氧化硅膜缺陷检验 SiO2膜的缺陷有宏观缺陷和微观缺陷两种。所谓宏观缺陷是指用肉眼就可以直接观察到的缺陷。所谓微观缺陷是指必须借助于测试仪器方能观察到的缺陷。 宏观缺陷：又称表面缺陷。它是指：氧化层厚度不均匀、表面有斑点、氧化层上有针孔等等。 氧化层厚度不均匀：造成氧化层厚度不均匀的主要原因是氧化炉管内氧气或水汽不均匀。此外，氧化炉温不稳定、恒温区太短、水温变化不均匀等也都会造成氧化层厚度不均匀。这种不均匀现象，不仅影响了SiO2的掩蔽功能，也使得绝缘性变差，而且光刻工序也会出现钻蚀现象。 要想得到厚度均匀的氧化层，必须使恒温区长而稳定，石英舟必须严格控制在恒温区中间，对于气体流量、炉温、水温都要很好地控制。 3.4 二氧化硅层质量分析 氧化斑点：造成氧化层斑点的原因是硅片表面处理的不干净，残留一些玷污杂质颗粒，在高温下粘附在SiO2层表面，形成局部黑点。 解决方法是认真处理硅片表面，对石英管进行严格的清洗，严格控制水温合氧化流量。 氧化层针孔：针孔的产生与氧化方法有关。 一般来说热氧化产生的针孔较少，只有当硅片质量不好时（有严重的位错），扩散系数较大的杂质（如铜、铁等），在位错线处不太会很好地形成SiO2于是就形成针孔。 解决方法是严格选择衬底材料，氧化前进行严格的清洗。  3.4 二氧化硅层质量分析 显示针孔的方法 1，电学写真法－利用联苯胺的盐酸溶液在电化学作用后有无色液体变为蓝色产物 2，化学腐蚀法－利用对硅和二氧化硅腐蚀不同的腐蚀液进行选择腐蚀 3，自愈合击穿技术－涂极薄的金属铝，在MOS结构上加电压，使电容击穿 4，染色法－利用电解液，以铜做阳极，硅片做阴极 5，液晶探测真空－通过真空引起液晶分子的扰动 6，铝的氧化－只能显示有无针孔，对小针孔无能为力 3.4 二氧化硅层质量分析 微观缺陷：指的是钠离子玷污和热氧化层层错 钠离子玷污：主要来源于操作环境；去离子水及化学试剂；石英管道和气体系统。 另外在热氧化时，炉温很高，钠离子扩散系数很大，钠离子会穿过石英管壁进入二氧化硅层。采用双层，夹层中通惰性气体。 热氧化层错：含氧的气氛中，由表面和体内某些缺陷先构成层错的核，然后再高温下核运动家具，形成层错。原因：硅片表面机械损伤，离子注入的损伤点缺陷的凝聚，氧化物的淀积等。会造成杂质的局部堆积，形成扩散“管道”，造成电极间短路，严重影响器件的电学性能。 3.4 二氧化硅层质量分析 氧化诱生层错是热氧化产生的缺陷，它通常存在于Si/SiO2界面附近硅衬底一侧。 产生原因：氧化过程中产生硅自填隙点缺陷，这些点缺陷凝聚起来，在（111）面内形成层错。 减少层错的措施：a）磷、硼掺杂引入晶格失配缺陷作为点缺陷的吸收源；b）掺氯氧化可以吸收点缺陷，阻止点缺陷凝聚长大；c）采用高压氧化，从而减少氧化温度和时间；d）采用（111）硅片。 3.4 二氧化硅层质量分析 硅工艺技术的未来发展路线 第一个DRAM上市年份 1997 1999 2003 2006 2009 2012 最小特征尺寸（nm） 250 180 130 100 70 50 DRAM位/芯片 256M 1G 4G 16G 64G 256G 最小电源电压（V） 1.8-2.5 1.5-1.8 1.2-1.5 0.9-1.2 0.6-0.9 0.5-0.6 等效的栅氧化层厚度Tox(nm) 4-5 3-4 2-3 1.5-2 1.5 1 厚度控制3σ（％） ±4 ±4 ±4-6 ±4-8 ±4-8 ±4-8 等效的最大电场强度（MV cm-1） 4-5 5 5 5 5 5 栅氧化层漏电流（DRAM）（pAμm-2） 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 隧穿氧化层厚度（nm） 8.5 8 7.5 7 6.5 6 最多的布线层数 6 6-7 7 7-8 8-9 9 用于层间绝缘层的介电常数K 3-4.1 2.5-3 1.5-2 1.5-2 1.5 1.5 3.4 二氧化硅层质量分析 为了控制杂志扩散将更多使用低温工艺。 低温下生长厚SiO2膜的途径：1，在氧化期间使用高压；2，淀积氧化硅膜，首先要生长一层薄的热氧化硅，然后在其上淀积氧化硅，或在淀积氧化硅之后进行退火。 未来趋向于使用组合介质层，氮氧