霍尔传感器交直流位移实验标题.doc

J I A N G S U U N I V E R S I T Y 传感器课程设计说明书 霍尔传感器交直流位移实验 学 院 机械工程学院 班 级 测控1201 学生姓名 学 号 指导教师 2015年1月 10日至 1 月19日 目 录 3 第一章 霍尔传感器发展历程 4 第二章 霍尔传感器工作原理 5 2.1 霍尔效应 5 2.2 霍尔元件 5 2.3霍尔元件的主要特性及材料 6 第三章 霍尔元件的误差及补偿 7 3.1霍尔元件的零位误差与补偿 7 3.2霍尔元件的温度误差及补偿 7 第四章 测量电路设计与数据处理 8 4.1模型的建立 8 4.2霍尔传感器直流位移实验电路设计 9 4.3霍尔传感器直流位移实验数据处理 11 4.4霍尔传感器交流位移实验电路设计 12 4.5霍尔传感器交流位移实验数据处理 17 第五章 课程设计总结 18 参考文献 19 致谢 20 摘要 20 世纪末,集成霍尔传感器技术得到了迅猛发展,各种性能的集成霍尔传感器不断涌现,它们已在汽车、纺织、化工、通讯、电机、电信、计算机等各个领域得到广泛的应用,特别是由集成开关型霍尔传感器制成的无刷直流电机(霍尔电机) 已经进入千家万户. 广泛应用于录音机、摄录像设备、VCD、DVD、及新型助力自行车等家用电器中. 笔者将集成开关型霍尔传感器及其计时装置应用于力学实验中,同时还可对该传感器的特性参数进行测量. 由于保留了传统的实验方法,所以使实验的内容更具综合性,它一方面能让学生从多角度地了解和掌握一些经典的测量手段和操作技能.另一方面由于加入了用集成开关型霍尔传感器来测量时间或周期的新方法,使学生对这种传感器的特性及在自动测量和自动控制中的作用有进一步的认识,从而真正领略这一最新传感技术的风采. 传统实验与现代化技术相结合对推进素质教育,培养想象能力和创新能力是十分有用的. 而这类实验已在我校的中学物理实验研究课程中开设,教师和学生都很有兴趣,教学效果很好H（霍尔电压）。本文主要研究微小位移与霍尔电压的关系来设计霍尔位移传感器。 关键字：霍尔传感器 位移 霍尔电压 第一章 霍尔传感器发展历程 霍尔传感器是磁电效应的一种，这种现象是霍尔于1879年在研究金属的导体机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强的多，利用这种现象制成的各种霍尔元件。广泛的应用于工业自动化技术，检测技术及信息处理方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。尽管人们早在1879年就知道了霍尔效应，但直到20世纪60年代末，随着固态电子技术的发展，霍尔效应才开始为人们所应用。自此，霍尔传感器得到飞速发展，在汽车，工业，计算机等行业中得到广泛应用，如齿轮速度检测、运动与接近检测及电流检测等。霍尔传感器的出现，解决了很多让人棘手的问题。 100多年来，霍尔效应的应用经历了三个阶段： 第一阶段是从霍尔效应的发现到20世纪40年代前期。最初，由于金属材料中的电子浓度很大，而霍尔效应十分微弱，所以没有引起人们的重视。这段时期也有人利用霍尔效应制成磁场传感器，但实用价值不高，到了1910年有人用金属铋制成霍尔元件，作为磁场传感器。但是，由于当时未找到更合适的材料，研究处于停顿状态。 第二阶段是从20世纪40年代中期半导体技术出现之后，随着半导体材料、制造工艺和技术的应用，出现了各种半导体霍尔元件，特别是锗的采用推动了霍尔元件的发展，相继出现了采用分立霍尔元件制造的各种磁场传感器、磁罗盘、磁头、电流传感器、非接触开关、接近开关、位置、角度、速度、加速度传感器、压力变送器、无刷直流电机以及各种函数发生器、运算器等，应用十分广泛。 第三阶段是自20世纪60年代开始，随着集成电路技术的发展，出现了将霍尔半导体元件和相关的信号调节电路集成在一起的霍尔传感器。进入20世纪80年代，随着大规模超大规模集成电路和微机械加工技术的进展，霍尔元件从平面向三维方向发展，出现了三端口或四端口固态霍尔传感器，实现了产品的系列化、加工的批量化、体积的微型化。此外，20世纪70年代末，美国科学家发现了量子霍尔效应并因此获得了1985年的诺贝尔物理学奖。最近，韩国科学家报告了等离子霍尔传感器L1 J。 最近，F．Le Bihan等人研制了一种可测量大位移量的多晶硅薄膜场效应(rIFI’)霍尔传感器，它包括2个对称放