显示器件制作实验报告：.docVIP

显示器件 设计制作 实验报告 一、实验目的 通过实验，了解SED的制作原理和大致工艺流程，掌握加工工艺中的一部分简单操作，加深对显示器制作工艺的认识。 二、实验原理 SED基本原理是由电子撞击荧光材料发光。SED将涂有荧光材料的玻璃板与铺有大量微型电子发射器的玻璃底板平行摆放，而其中的微型电子发射器就是像素。SED显示技术不需要电子束扫描，它和PDP、LCD一样，都是“寻址显示器”。SED电子发射源的两级分别连接在驱动电路的扫描极和信号极，当扫描极和信号极同时接通时，发射源发射电子，阳极加速电子，轰击荧光屏完成显示任务。SED的优点如下： 1）由电子撞击荧光粉发光，属于自发光器件，不存在液晶显示的可视角不够和响应时间过长的问题2）发光完全可控，不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题，黑色表现力大大提高3）发光效率可达5lm/W，使其耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半4）由于采用与普通电视显像管同样的高压荧光粉，可以达到优于PDP和LCD的色彩饱和度及锐利的图像5）器件基本上是平面结构，可以完全采用印刷工艺生产，使生产成本可以做到大大低于PDP和LCD。 电极间电阻3 电极间电阻4 65 9.4k 6.4k 293k 16k 82 1.99k 2.1k 3.2k 2.6k 85 2000k 140k 322k 465k 86 0.0216k 0.317k 0.011k 0.011k 87 44k 128k 52.7k 30.3k 88 27k 33k 36k 26k 65号 1、电形成前 阴极并联电阻1.4k 2、电形成电压约18V 3、电形成后电压经多次测量分别为0.76k、0.74k、0.63k、1.1k。 电流限为0.5A Ud（V） Id(mA) Ie(uA) 效率 1 2 3 4.55 0 0 4 5.98 0 0 5 7.87 0 0 6 9.60 0 0 7 11.26 0 0 8 13.26 0 0 9 14.74 0 0 10 17.28 0 0 11 21.63 0.01 4.62E-07 12 24.73 0.26 1.05E-05 13 27.57 0.23 8.34E-06 14 32.69 0.41 1.25E-05 15 37.18 0.73 1.96E-05 16 42.20 1.15 2.73E-05 17 41.24 1.58 3.83E-05 18 38.25 1.93 5.05E-05 19 31.32 2.44 7.79E-05 20 27.42 3.14 1.15E-04 21 22.53 3.26 1.45E-04 22 18.14 3.66 2.02E-04 23 15.97 4.77 2.99E-04 24 11.78 5.23 4.44E-04 由上表所得图 65号的四幅图（有示波器数据绘得） 注：电压单位为V，电流单位为mA 图一 器件电压、器件电流与时间的关系（电流被限） 图二 电形成 图三 图四 图五：图二所对应的伏安特性曲线 86号 电形成前电阻0.0037k 电形成后电阻0.141k 但实际上伏安特性曲线并没有出现负阻特性，也就不存在真正地电形成。 Ud（V） Id(mA) Ie(uA) 效率 1 0 0 0 2 182 0 0 3 400 0 0 4 768 0 0 5 850 0.01 1.18E-08 6 900 0.01 1.11E-08 7 1000 0.01 1.00E-08 8 1100 0.01 9.09E-09 9 980 0.02 2.04E-08 10 820 0.20 2.44E-07 11 700 0.30 4.29E-07 12 580 0.79 1.36E-06 13 453 1.09 2.41E-06 14 400 1.30 3.25E-06 15 360 0.9 2.50E-06 16 320 0.59 1.84E-06 17 300 0.36 1.20E-06 18 250 0.45 1.80E-06 19 220 0.31 1.41E-06 20 210 0.49 2.33E-06 21 170 0.42 2.47E-03 22 150 0.75 5.00E-05 23 150 0.39 2.60E-05 24 150 0.7 4.67E-06 25 120 0.49 4.08E-06 26 100 0.59 5.90E-06 27 100 1.31 1.31E-05 上表对应的图： 86号的三幅图（有示波器导出的数据所得） 图一、图二器件电压