中国IGBT(绝缘栅双极型晶体管)行业深度分析报告：.docVIP

2015-2020年中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业深度分析及未来投资前景预测报告 中国产业信息网 什么是行业研究报告 行业研究是通过深入研究某一行业发展动态、规模结构、竞争格局以及综合经济信息等，为企业自身发展或行业投资者等相关客户提供重要的参考依据。 企业通常通过自身的营销网络了解到所在行业的微观市场，但微观市场中的假象经常误导管理者对行业发展全局的判断和把握。一个全面竞争的时代，不但要了解自己现状，还要了解对手动向，更需要将整个行业系统的运行规律了然于胸。 行业研究报告的构成 一般来说，行业研究报告的核心内容包括以下五方面： 行业研究的目的及主要任务 行业研究是进行资源整合的前提和基础。 对企业而言，发展战略的制定通常由三部分构成：外部的行业研究、内部的企业资源评估以及基于两者之上的战略制定和设计。 行业与企业之间的关系是面和点的关系，行业的规模和发展趋势决定了企业的成长空间；企业的发展永远必须遵循行业的经营特征和规律。 行业研究的主要任务： 解释行业本身所处的发展阶段及其在国民经济中的地位 分析影响行业的各种因素以及判断对行业影响的力度 预测并引导行业的未来发展趋势 判断行业投资价值 揭示行业投资风险 为投资者提供依据 2015-2020年中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业深度分析及未来投资前景预测报告 【出版日期】2015年 【交付方式】Email电子版/特快专递 【价 格】纸介版：7000元 电子版：7200元 纸介+电子：7500元 【报告编号】R 347198 报告目录： ? ? 绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。? ??IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，与同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化 IGBT驱动器的原理图。? ??产业信息网发布的《2015-2020年中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业深度分析及未来投资前景预测报告》共十七章。首先介绍了中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业发展环境以及全球IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产业发展现状，接着分析了中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业规模及消费需求，然后对中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业市场运行态势进行了重点分析，最后分析了中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业面临的机遇及发展前景。您若想对中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业有个系统的了解或者想投资该行业，本报告将是您不可或缺的重要工具。? ??本研究报告数据主要采用国家统计数据，海关总署，问卷调查数据，商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局，部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据，企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等，价格数据主要来自于各类市场监测数据库。 第一章 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）相关概述第一节 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的定义及分类一、定义二、分类第二节 分类产品介绍 第二章 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业国内外发展概述第一节 国际IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业发展总体概况一、全球IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业发展概况二、主要国家和地区发展概况三、全球IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业发展趋势第二节 中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业发展概况一、中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业发展概况二、中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业发展中存在的问题第三节 中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业发展环境分析一、 宏观经济环境二、 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业政策环境三、 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业技术环境四、 国内外经济形势对IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业发展环境的影响 第三章 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业市场分析第一节 市场规模分析一、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业市场规模及增速二、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）行业