电子材料物理部分参考答案.pptVIP

* 此时电子浓度与氧分压的-1/6次方成比例。 在中氧压区，单电离和双电离填隙离子同时存在，电中性方程为： 解得 解得 则 此时电子浓度与氧分压的-1/5次方成比例。 加入Li2O,其缺陷反应式为（考虑完全电离的情况）： ① ② 在低氧压下，随氧分压和杂质含量的增加，电子浓度逐渐降低，空穴浓度逐渐增加，由于空穴与电子的复合，导致n型电导率降低；当氧分压增加到某一定程度，2[Zni???··]=[Li’Zn]，n=p，本征缺陷占主导，电导率降到最小值；当氧分压和杂质含量进一步增加，空穴的浓度进一步增加，材料的多数载流子为空穴，材料由n型向p型转变，电导率逐渐增加。 3.10 为什么金属材料的电阻率随温度升高而增加，半导体和绝缘体材料的电阻率却随温度升高而下降？为什么非本征半导体对温度的依赖性比本征半导体小？当温度足够高时，为什么非本征半导体的电阻率与本征半导体的趋于一致？ 答：温度升高，晶格振动越强，载流子的晶格散射也增强，迁移率下降，则电导率下降，电阻率升高；对半导体和绝缘体而言，载流子是由热激发产生的，其浓度与温度成指数关系，因此温度越高，载流子浓度越大，电导率上升，电阻率下降。 对于非本征半导体，由于杂质能级的存在，杂质的电离能比本征半导体的禁带宽度要小很多，因此非本征半导体对温度的依赖比本征半导体小。 温度足够高时，此时这两种半导体