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第3章 电荷耦合器件 Charge Coupled Device—CCD 新型智能传感器 第一节 CCD的物理基础 新型智能传感器 　具有以下一些特点： 一、稳态情况MOS结构的物理性质 1.多数载流子堆积状况 2.多数载流子耗尽状况 3.载流子反型状态 凤飞飞 从电路看，表面势VS为 4.行间转移CCD结构 二、典型的CCD器件及其驱动 TCD142D型CCD 性能参数： 1、象素(象元)：2048位线阵 2、相数：二相 3、像元尺寸： 14?m，光敏阵列总长28672?m 4、引脚： ?1A 、?2A 、?1B 、?2B均为时钟端、?SH为移动栅、 ?RS 为复位栅,OS为移动栅、DOS为补偿输出端、OD为电源端、 SS为接地端、NC空闲。 5、像元结构： 2110个光敏像元阵列,62个哑元（前51个、后 11个)双沟道。 1、?SH为同步脉冲，B时段，光敏区与移位寄存器之间的势阱沟通，信号电荷转移至?l 电极下。 2、C时段，隔离光敏区与移位寄存器之间的势阱沟通。 3、随后，?l 与?2交替变化，信号电荷顺序转移，经由OS引脚输出。 4、输出：12个虚设脉冲（结构上的原因）→ 51个暗电流脉冲 → 2048个信号脉冲 → 11个暗电流脉冲（共12+51+2048+11=2122个脉冲） → 多余无信号脉冲。 5、该器件是两