第七章-半导体存储器课件.ppt

* 第七章 半导体存储器 Chapter 7 Semiconductor Memory 本章主要内容 第一节 概述 第二节 只读存储器（ROM） 第三节 随机存储器（RAM） 第四节 存储器的扩展 第五节 存储器实现组合逻辑函数 第六节 集成芯片简介及应用举例 §7.1 概述 半导体存储器是一种能存储大量二值信息（或称为二值数据）或信号的半导体器件。 1、功能 对计算机及其他一些数字系统的大量数据或信号进行存储。 2、衡量存储器性能的重要指标 # 存储容量（DRAM可达109位/片） # 存取速度（10 ns左右)。 3、输入/输出规定 因为半导体存储器的存储单元数目极其庞大而器件的引脚数目有限，所以在电路结构上不能象寄存器那样把每个存储单元的输入和输出直接引出。 解决办法： 给每个存储单元编一个地址，只有被输入地址代码指定的那些存储单元才能与公共的输入/输出引脚接通，进行数据的读出或写入。 4、分类列表 分类原则 类别 类别细分 优点（特点） 缺点 ? ? ? ? ? 存 取 功 能 只读 存储器 （ROM） 掩模ROM 总特点：在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数据。优点：电路结构简单；断电后数据不会丢失。 只适用于存储那些“固定”数据的场合。 可编程ROM（PROM） 可擦除的可编程ROM（EPROM、E2PROM、FLASH） 随机 存储器（RAM） 静态存储器（SRAM） 总特点：正常工作状态下便可随时向存储器里写入或从中读出数据。SRAM的存取速度快；DRAM的集成度高。 断电后数据会丢失。 动态存储器 （DRAM） 制 造 工 艺 双极型 TTL、ECL、I2L等 ? ? MOS型 NMOS、CMOS等 功耗低、集成度高（目前被大容量的存储器采用） 工艺较复杂。 ? §7.2 只读存储器（ROM） Read-only Memory （1）ROM的特点： ROM中的信息也可以随时读出，但不可以随时写入； 数据不易丢失，断电亦保存； ROM无需刷新。 （2）ROM的通常结构： 定义：存储单元——存储器中每存储1位二进制数的点； 存储容量——存储器中总的存储单元的数量。 存储容量 = 字线数m × 位线数j 1、掩模只读存储器（ROM） 特点： 采用掩模工艺制作； 掩模板为专门设计的,程序“固化”在其中,不可再编程； 其一般封装密度比SRAM高几倍,比DRAM高2～3倍,集成度很高。 类别： 二极管掩模ROM 例： 与阵列 或阵列 又例： MOS结构的ROM 总存储量：行线 × 列线 交点上有MOS管，表示信息1； 交点上无MOS管，表示信息0。 例： 简化 2、可编程只读存储器（PROM：Programmable ROM） 特点： 出厂时已经在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储元件，即相当于在所有存储单元中都存入了1； 可一次性写入（永久性写入，不可再更改），常见的为熔丝型PROM。 类别： 一个双极型晶体管加一根熔丝 写入数据时，要设法将需要存入0 的那些存储单元上的熔丝烧断即可。 一个二极管加一根熔丝 “熔丝”是用很细的低熔点合金丝或多晶硅导线制成。 例： 稳压二极管 3、可擦除可编程ROM（EPROM：Erasable Programmable ROM） 特点： 用大量紫外线照射来擦除信息 存储单元介绍： （1）UVEPROM：Ultra-Violet Erasable Programmable ROM * 浮栅雪崩注入MOS管（FAMOS：Floating-gate Avalanche-Injection MOS） FAMOS管的结构和符号 －45V PMOS * 叠栅注入MOS管（SIMOS：Stacked-gate Injection MOS） （厚度为30-40nm） GC — 用于控制读写； Gf — 用于长期保存注入电荷。 当DS加上＋20V~+25V,GC＝+25V（50ms）时，发生雪崩注入 使用SIMOS管的256 X 1位EPROM 例：