东南大学材料科学基础-第7章晶体缺陷课件.ppt

2、堆垛层错 堆垛层错：实际晶体中堆垛顺序与正常的堆垛顺序出现差异。 抽出型层错 插入型层错 7.6 实际晶体中的位错 形成堆垛层错后并没有产生点阵畸变，也不改变最近邻关系，仅仅改变了原子间的次近邻关系，但是它破坏了晶体的周期性和完整性，因此也会导致晶体能量的增加，这部分增加的能量称为层错能，层错能越小，层错出现的几率越大。 7.6 实际晶体中的位错 7.6.3 不全位错 如果堆垛层错不是发生在整个晶面上，而是终止在晶体内部 ，则层错与完整晶体的交界处就存在柏氏矢量b不等于点阵矢量的不全位错。 7.6 实际晶体中的位错 一、 肖克莱不全位错 ? 在(111)面上把任意一层原子面以上的部分晶体沿b1方向作相对滑移，这样形成的位错是全位错。 　　但是这样运动能量较大，如果按如图所示的路径，分两步滑动，引起的晶体畸变要小得多。 7.6 实际晶体中的位错 7.6 实际晶体中的位错 肖克莱位错的特点： 柏氏矢量平行于层错面； 由于层错只能位于一个平面上，因此位错为二维曲线； 只能滑移，造成层错面的扩大或缩小，不能攀移； 位错可为刃型、螺型和混合型。 7.6 实际晶体中的位错 7.6 实际晶体中的位错 7.6 实际晶体中的位错 二、弗兰克不全位错 ??? 如果在fcc晶体的{111}面间插入或抽出半个原子面，这样形成的层错边界就是弗兰克不全位错，如图所示,注意是抽去或插入半个原子面。这样形成的不全位错柏矢量为 ???????????，垂直于{111}面(垂直于层错面和位错线)，是纯刃型的。 ??? 需要指出的是，弗兰克不全位错不能在滑移面上进行滑移，否则就要离开所在的{111}面，所以有时把弗兰克不全位错称为不滑动位错。不过弗兰克不全位错能够通过点缺陷的运动沿层错面进行攀移，使层错面扩大或缩小。 7.6 实际晶体中的位错 7.6 实际晶体中的位错 正弗兰克不全位错的形成 7.6 实际晶体中的位错 7.6 实际晶体中的位错 正弗兰克不全位错的运动 7.6 实际晶体中的位错 位错名称 全位错 肖克莱位错 弗兰克位错 柏氏矢量 位错类型 刃、螺、混 刃、螺、混 纯刃 位错线形状 空间曲线 {111}面上任意曲线 {111}面上任意曲线 可能的运动方式 滑移、攀移 只能滑移，不能攀移 只能攀移，不能滑移 7.6 实际晶体中的位错 4、位错反应 位错反应：晶体中组态不稳定的位错转化为组态稳定的位错，或具有不同柏氏矢量的位错发生合并或分解等转换。 两个条件： 几何条件：根据柏氏矢量守恒性的要求，反应前后位错的柏氏矢量之和应当相等，即：Sb前=Sb后 能量条件：位错反应应当是一个导致系统能量降低的过程，因此反应后位错的总能量应当小于反应发生时的能量，由于位错的能量正比于位错的柏氏矢量b2，因此，有：S|b前|2=|Sb后|2 7.6 实际晶体中的位错 5、扩展位错 扩展位错：分解后的这两个不全位错位于同一滑移面上，其柏氏矢量夹角是60°，它们是互相排斥的，有分开的趋势，在两个不全位错之间夹了一片层错区。通常我们将这种两个不全位错夹一个层错区的组态称之为扩展位错。 7.6 实际晶体中的位错 由于层错能的存在，因此层错区的出现会导致系统能量的增加，而由全位错分解为不全位错，会降低系统能量，或者说层错能与不全位错间的斥力平衡将导致扩展位错存在一个平衡宽度d： 扩展位错的宽度反比于层错能g，层错能低的金属，例如奥氏体不锈钢、铜、金等，其扩展位错的宽度可达20-30个原子间距；而铝的层错能高，所以d只有1-2个原子间距，实际上可以认为位错没有扩展。通常，只有层错能足够低、d足够大的金属，才能在电子显微镜下直接分辨出位错的扩展。 7.6 实际晶体中的位错 (1) 扩展位错的束集 当层错面上存在障碍（杂质原子、不可动位错等）时，扩展位错的宽度将会缩小，甚至收缩成原来的全位错，称为束集。 形成束集需要能量（束集能），这时因为： 伴随不全位错间距减小，其相互作用能将增加； 束集附近位错形成弧线将增加应力场； 束集将导致位错线长度增加。 (2) 扩展位错的交滑移 扩展位错只能在其滑移面上整体运动，不能直接进行交滑移，当扩展位错运动受阻时，一般首先发生局部束集成螺位错，然后可能交滑移到另一滑移面上，并在新的滑移面上进行重新分解成扩展位错，继续进行滑移。 7.6 实际晶体中的位错 7.6 实际晶体中的位错 6、面角位错（L－C位错）的形成 面心立方金属中，位于两相互交叉的滑移面(111)和(11-1)上、柏氏矢量分别为a/2[10-1]和a/2[011]的位错，且位错线都平行于滑移面的交线，相遇时： 这一新位错处于(001)面上，不是面心立方晶体的密排面，不