电子技术第1章！.ppt

任课教师：王艳萍 一、电子技术的发展 很大程度上反映在元器件的发展上 : 1904年，世界上第一只电子管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了。 二、信号与电路 1. 信号：是反映消息的物理量 二、信号与电路 三、如何学习这门课程 四、考查方法 1. 会看：定性分析 2. 会算：定量计算 第1章 半导体器件的基本知识 1.1 半导体基本知识 半导体：导电能力介于绝缘体和导体之间的物质。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素，其中硅应用最广。 半导体的特性 1.1.2 N型半导体 P型半导体的特性： 小结： 1.2 半导体二极管 1.2.1 PN结的形成及单向导电特性 2、PN结的单向导电性 （1）加正向电压（正偏）—正极接P区，负极接N区 （2）加反向电压（反偏） —正极接N区，负极接P区 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场→空间电荷区变宽→多子扩散难以进行→少子在电场作用下形成反向电流 IR，称PN结处于高阻截止状态。 结论： PN结加正向电压（ P区电位高于N区电位）时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； 1.2.2 二极管的基本结构 1.2.3 二极管的伏安特性 1.2.4 二极管的主要参数 1、最大整流电流IF：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2、反向击穿电压UBR：指管子反向击穿时的电压值。 3、最高反向工作电压UR:二极管使用时允许加的最大反向电压（约为UBR 的一半）。 4、反向电流IR：管子加上反向电压时的反向电流值，其值越小，则管子的单向导电性越好。 二极管电路分析举例 1、钳位电路 如图设二极管均为硅管（UD 0.6V），当A、B的电位分别为以下组合时，UF ？ 承受正向电压较大者优先导通 2、限幅电路 例：设ui 10sinωtV，DZ为理想二极管，E 5V。求输出电压u0波形。 1.2.6 稳压二极管 例：两个硅稳压管，UZ1 6V，UZ2 9V，求各图中的U0 例：如图所示电路，稳压管的稳定电压UZ 5V，正向电压降忽略不计。求当输入电压为为交流 ui 10sinωt V，求u0的波形。 1.3.1 晶体管的基本结构 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）简称晶体管（BJT） ，由两种载流子在其内部作运动 在模电中主要起放大作用，在数电中起开关作用。 例：用直流电压表测某一个三极管工作于放大状态，三极管的管脚电位U1 2.8V，U2 2.1V，U3 7V，判断其管脚及管型。 1.3.3 伏安特性曲线 临界饱和 IBS ICS /β,ICS ≈ UCC /RC 判断三极管的工作状态方法： （1）根据结的偏置来判别: 都反偏， 截止； 都正偏，饱和; 发射结正偏，集电结反偏，放大。 （2）根据IB和IC值来判别: IB ≤0 ，截止； IC βIB ，放大； IB IBS ICS /β ，饱和区； （2）根据IB和IC值来判别: IB ≤0 ，截止； IC βIB ，放大； IB IBS ICS /β ，饱和区； 1.3.4 晶体管的主要参数 例：某一晶体管的PCM 100mW，ICM 20mA，U BR CEO 15V，在下列几种情况下哪一种能正常工作（ ）？ A．IC 15mA，UCE 10V B．IC 40mA，UCE 2V C．IC 10mA，UCE 14V D．IC 10mA，UCE 3V 1.4 光电器件 1.4.1 发光二极管 1.4.2 光敏二极管 1.5 绝缘栅场效应晶体管（自学） 1.5.1 增强型绝缘栅场效应晶体管（N沟道） 箭头向外表示为P沟道 2、工作原理（N沟道增强型） （1） 当UGS 0时，漏极D与源极S之间是两个背靠背的PN结，不管漏极和源极之间所加的电压极性如何，总有一个PN结处于反向偏置，所以，漏极电流ID 0。 （2）当UGS＞0V时→垂直于衬底表面的电场→把衬底中的电子吸引到表面层→耗尽层 3、特性曲线 1.5.2 绝缘栅场效应晶体管的4种基本类型 1.5.3 主要参数 1.5.4 晶体管和场效应晶体管的比较 教学要求： （1）掌握普通二极管和稳压管外特性及主要参数，正确理解它们的工作原理。 （2）掌握双极性三极管的输入、输出特性及主要参数，正确理解它的工作原理。 （3）了解本征半导体、杂质半导体和PN结的形成。 放大区：当栅、源电压UGS为常数时，漏极电流ID几乎不随漏、源电压UDS的变化而变化，特性曲线趋于与横轴平行，输出电阻ro很大，在栅、源电压UGS增大时，漏极电流ID随UGS线性增大。 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。 在圆圈中画出管