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HDMI高频量测分析-高频量测参数 高频量测的意义 当电子电路的操作频率愈来愈高，电子组件的电气特性就愈难掌握。当组件尺寸或整体电路尺寸与操作频率所对应的波长相比大于一比十时，线路的电感与电容值，或是组件的寄生效应甚至材料特性等，随操作频率增加而被突显出来。因此一条走线不再是一个单纯的连接线， 组件也不再由一个单纯的理想值所决定； 而得由许许多多的等效电路来表示。此时便无法用电表量得一个单纯的值， 而须以较高频的电磁特性或传输线理论(transmission line theory)来加以分析。 开路短路 开路（Open）：是指电路中两端点不连接任何组件或产生断路，其开路两端点的电流为零，信号无法继续通过 。 短路（Short）：是指电路中两端点直接接触或零电阻值的路径，其短路两端点的电位差为零。 标准负载（Load） 标准负载（Load） ：是指电路中两端点连接一负载，其负载与所输入之值匹配，输入端经由负载的传输没有反射，高频的讯号也就不会失真或变形。 驻波比 该值表示同轴传输线反射品质的另一种方式，最大电压和最小电压的比值就是驻波比。 其计算公式如下： 如果负载等于参考电压的话（Z0 = ZL），驻波比是 ” 1 ”。 如果负载是断路或短路的话，驻波比会趋近于 ” ∞ ” 。 衰减（α，Attenuation） 是指输出端功率（Pout）比入射功率（Pin），降低了多少。（并且以dB的型式表示）其计算公式如下： 依美国ASTM-D-4566-94标准，量测温度应在周围室温20±2℃下执行。若无法此温度量测，而改在其它合理温度下量测，则需进行温度补偿，以求得20℃时量测 αT = 在T○C时所量到的衰减。 T = 量测时的温度。 α20 = 补偿到20○C的衰减。 所得到的数据。温度补偿的公式如下： 波速比（Velocity of Propoagtion） 反映绝缘介电物质阻碍高频讯号波的传递的现象，传播速度与光速的百分比（%）。因此传播速度主要是由中心导体和被覆之间的绝缘物质的介电系数（εr）来决定。 vp：phase velocity (%) τd：phase delay (ns)→over LAN cable with length L L：cable length (m) C：light speed 0.3 m/ns 传播延迟（VR，Delay） 是指固定频率下讯号波，经过固定长度的待测物所需之时间。 延迟可由下式计算(Time Delay)： 传播延迟时间差（Delay Skew）：是指不同的讯号到达接收端的时间差。可分为：差分对内延迟差（Intra-pair Skew），差分对间延迟差（Inter-pair Skew）两种。 串音（Cross talk） 两线路之间互相干扰的电磁噪声，而随着频率之升高而增加。 近端串音（NEXT） 远程串音 （FEXT） 输出入远程串音（IOFEXT） 等准远程串音（ELFEXT） 功率和（Power Sum） 上升时间衰退或频宽（Risetime） 指讯号通过待测物时波形上升时间衰退的情形，上升时间越长，高频衰退 的越严重，可使用的频宽范围也就越小。 0.35 = 上升时间衰退（ps）× 频宽（GHz） 项次 量测参数 仪器 测试模式设置 规格 1 衰减/插入损耗 NA Transmission Mode (S12 OR S21) -8dB/min @1~825MHz -21dB/min @825~2475MHz -30dB/min @2475~4125MHz 2 远端串音 NA Transmission Mode (S12 OR S21) -26dB/max @1~5000MHz 3 差模阻抗 TDR TDR Mode Tr=200ps 100±10Ω 4 连接器阻抗 TDR TDR Mode Tr=200ps 100±15Ω 5 对間延迟差 TDR TDR or TDT Mode Tr=200ps 0.4Tpixel(2.42ns Max) 6 对內延迟差 TDR TDR or TDT Mode Tr=200ps 0.25T bit (151ps Max) HDMI高频量测分析 HDMI成品线的高频量测参数： HDMI连接器的高频量测参数 项次 量测参数 仪器 测试模式 规格 1 远端串音 TDR TDT 5%@Tr≦200ps 2 连接器阻抗 TDR TDR 100±15Ω 衰减/插入损耗 衰减/插入损耗：用α表示，是指输出电压Vout与输入电压Vin相比，信号损耗剩