半导体第八讲薄膜技术物理分析.ppt

形貌和台阶覆盖 溅射工艺在微电子领域最常见的应用是淀积集成电路金属互连层 一般这些层覆盖在像Si02那样的厚介质层上，为与器件连接，需先在Si02上刻蚀出孔 淀积薄膜工艺的关键要求是，即使覆盖在高纵横的结构上，薄膜也能保持合适厚度 覆盖典型的高纵横比接触孔的薄膜，在顶表面和上面的拐角处，淀积速率是高的，侧壁上的淀积速率比较适中，侧壁薄膜厚度向底部逐渐减小，在台阶底角处，可以产生明显的凹口或裂纹 除非加热衬底，否则这种趋势随着图形的纵横比增加而增大 与蒸发薄膜比较，即使低温溅射的薄膜，也有较好的台阶覆盖，其原因是有较高的压力和较高的淀积原子的入射能量。在孤立台阶的边缘，由于有增大的视角因子，淀积膜趋向于形成尖端或凸起 第八讲 集成电路薄膜制造技术 物理方法 内容 物理淀积分类：蒸发和溅射 蒸发设备，系统与坩锅加热技术 多组分薄膜沉积技术 溅射沉积技术特点与优势 物理淀积：蒸发和溅射 早期半导体工艺的金属层全由蒸发淀积。尽管蒸发在科研和III-V族工艺方面仍有广泛应用，在大多数硅工艺中，它已被溅射所取代。 原因有两个。首先在于覆盖表面形貌的能力，也称为台阶覆盖(step coverage)。当晶体管横向尺寸缩小时，许多结构层的厚度几乎保持不变，因而，金属要覆盖的形貌，其高低变化更为严重，蒸发薄膜覆盖这些结构的能力很差，常在垂直的壁上断开 应用蒸发也难以生产控制良好的合金。由于许多现代硅工艺需要合金，用以形成可靠的接触与金属线，要在批量生产环境下的硅工艺中采用蒸发是比较困难的 某些III-V族工艺利用了蒸发薄膜台阶覆盖性差的特点，来达到良好的工艺结果。此时不是去淀积和刻蚀金属，而是将金属薄膜淀积在已形成图形的光刻胶层顶面，由于金属薄膜在光刻胶边缘处断裂，当光刻胶溶解后，光刻胶顶面上的金属层就被剥离掉了。在这些工艺中不大采用合金，而是用若干不同金属薄层相堆叠，这种叠堆层很难刻蚀 圆片装在高真空腔内，通常由扩散泵或冷泵抽真空 扩散泵系统一般有冷阱，用以防止泵油蒸气反流到腔内。 将被淀积的材料，装入一个坩锅加热容器内，它可以简单地用嵌入的电阻加热器和一个外电源来加热 当坩锅内的材料变热时，材料会发出蒸气，因为腔内压力大大小于1mTorr，蒸气原子可以直线运动通过腔体，直至抵达圆片表面，堆积为薄膜 蒸发系统可有多至4个坩锅，允许不破坏真空而实现多层淀积：还可以装入24片圆片，这些圆片悬挂在坩锅上面的支架上 如果需要合金的话，还可以同时运作几个坩锅。机械挡板放在坩锅前面，可以用于快速启动或停止淀积过程 当样品温度升高，材料会经历典型的固相，液相到气相的变化 任何温度下，材料上面都存在蒸气，平衡蒸气压为pe。样品温度低于熔化温度时，产生蒸气的过程称为升华(sublimation)；样品熔化时，称为蒸发(evaporation) 称为蒸发的半导体工艺通常涉及熔化样品，但是它是一项简单的工艺，其工作范围内蒸气压很高，能够得到可接受的淀积速率 对于蒸发来说，简单地改变样品温度，就可以得到宽范围的压强 当材料是液相时，蒸气压由下式给出： pe＝3×1012σ3／2T－1／2e△Hv/NkT (12.1) 式中，σ是金属薄膜表面张力，N是阿佛加德罗常数，△Hv是蒸发焓 在确定焓的时候，即使有很小的误差，也会造成蒸气压的极大误差 数据一般由实验确定 为得到高淀积速率，蒸发台通常用很高的坩锅温度工作 在紧靠坩锅上方的区域，蒸发气压达到足够高，以致使这个区域处于黏滞流动状态 在此区域内工作会导致蒸发材料凝聚成小液滴，如这些液滴到达并附着于圆片表面，将使薄膜表面形貌变差 在此范围内工作时，因为在坩锅上方某一距离处形成了虚拟源，也会影响到淀积的均匀性 为了获得最好的均匀性，蒸发器必须在低淀积速率下运行，为了避免薄膜玷污需要很高的真空 淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量 所用器件是一个谐振器板，它可以在谐振频率下振荡，工作时测量其振荡频率 因为晶体顶部有材料蒸发淀积，所外加的质量将使得频率偏移，由测得的频率移动可得出淀积速率 当淀积足够厚的材料后，谐振频率会移动几个百分点，振荡器便失效了，不再出现尖锐的谐振 此检测元件不贵，而且容易替换 如果将频率测量系统的输出与机械挡板的控制相连，淀积层厚度可以在很宽的淀积速率范围内得到很好的控制 可以把淀积厚度的时间速率变化反馈给坩锅的温度控制，以得到恒定的淀积速率 坩锅应用锥形壁构造，以避免当材料消耗时，行星转动部分逐步增大的阴影遮挡效应 蒸发的一个重要限制是台阶覆盖 在此情况下，台阶是通过绝缘层刻蚀至衬底的接触孔的横断面，对于这样的距离(～1μm)尺度，入射材料原子束可以认为是不发散的 假定入射原子在圆片表面不移动，这种高差形貌将投射出一定的阴影区，在接触孔的一边，薄膜通常是不连续的 当淀积连续进行时，