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一种温度传感器设计.pdf
( )
中图分类号 :TP212 文献标识码 :A 文章编号 :1009 - 2552 2009 11 - 0015 - 04
一种温度传感器的设计
范 亮 , 戎蒙恬 , 李 萍 , 刘文江
(上海交通大学电子工程系 , 上海 200240)
摘 要 : 基于TSMC0 . 18μ
m 混合信号 CMOS 工艺 , 利用 CMOS 工艺衬底 PNP 三极管的发射区 - 基
区 PN 结作为温度传感单元 , 构建了两个三极管串联的温度传感电路 。通过三极管串联来减小失
调电压的影响 , 通过折叠式共源共栅放大器来提高电路精度 , 通过增加负反馈电路来提高电路
的稳定性 。电路的仿真结果显示从 - 20 ℃到 120 ℃, 温度与 VPTAT 呈高度线性关系 , 电路的电源抑
制比达到了 140dB 。
关键词 : 温度传感器 ; 折叠式共源共栅放大器 ; 负反馈
Design of a temperature sensor
FAN Liang , RON G Mengtian , L I Ping , L IU Wenj iang
(Department of Electronic Engineering ,Shanghai Jiaotong University ,Shanghai 200240 ,China)
μ
Abstract : A temperature sensor with two series PNP transistors in TSMC 0 . 18 m mixmode process using PN
j unctions of the CMOS substrate PNP transistors as temperature sensor ’s cells. These two series PNP
transistors reduce the effect of the voltage offset , a folded cascode amplifier increases the precision of the whole
circuit , and a negative feedback structure improves the stability of VPTAT the circuit . The simulation results
show a perfect linearity of and temperature from - 20 ℃to 120 ℃and a 140dB power supply ripple rej ection of
the circuit .
Key words : temperature sensor ; folded cascode amplifier ; negative feedback
0 引言 在MOS 管实现转化的过程 中 , 主要通过阈值 电压
温度传感器是最早开发 、应用最为广泛的一类 ( VT ) 和电流来得到所需要的信号 。然而 由于三极
传感器 ,它被广泛地用于个人电脑 、手机 、便携式多 管比MOS 管表现出更好的温度特性 ,所以绝大多数
媒体设备 。随着半导体技术和
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