一种高精度自偏置共源共栅CMOS带隙基准源.pdfVIP

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2016-11-04 发布于安徽
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一种高精度自偏置共源共栅CMOS带隙基准源.pdf

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一种高精度自偏置共源共栅CMOS带隙基准源.pdf

25 卷　第 8 期微电子学与计算机 Vol. 25 　No. 8 　 2008 年 8 月 M ICROEL ECTRON ICS COMPU TER August 2008 一种高精度自偏置共源共栅的 CMOS 带隙基准源文　武 ,文治平 ,张永学 (北京微电子技术研究所 ,北京 100076) ( ) 摘　要 : 介绍了一种高精度的 CMOS 带隙参考电路 B GR ,它采用自偏置共源共栅电流镜 ,不需要运放. 通过在传统共源共栅结构中加入一简单的反馈晶体管和几个电阻 ,分别构成了电源抑制和曲率补偿电路. 用 Spectre 工具和 μ ( ) 0. 35 m CMOS 模型进行了仿真 ,结果表明电源抑制和温度特性均得到明显改善. 直流时的电源抑制比 PSRR 为 93dB , - 40～ + 125 ℃温度范围内的温度系数为 7ppm/ ℃. ( ) ( ) ( ) 关键词 : 带隙参考电路 B GR ;共源共栅 ; 电源抑制比 PSRR ;温度系数 TC ( ) 中图分类号 : TN432 　　　　　文献标识码 : A 　　　　　文章编号 : 1000 - 7180 2008 08 - 0216 - 05 An Improved CMOS Bandgap Reference with SelfBiased Cascoded Current Mirrors WEN Wu , WEN Zhiping , ZHAN G Yongxue (Beijin g Microelectronics Technology Institute , Beijin g 100076 ,China) ( ) Abstract : In this paper , an improved cascoding CMOS bandgap reference B GR without opamp is presented. By incorpo rating a simple feedback transistor and several resistors into conventional cascoding circuit , the powersupply rejection and μ 2ndorder curvature compensation circuit is formed. With Spectre tool and 0. 35 m CMOS model , the simulation has been ca