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第五章： 电容式传感器 电容式传感器是将被测非电量的变化转化为电容量的一种传感器。结构简单、高分辨力、可非接触测量，并能在高温、辐射和强烈震动等恶劣条件下工作，这是它独特优点。随着集成电路技术和计算机技术的发展，促使它扬长避短，成为一种很有发展前途的传感器。 1 基本原理与结构类型 一、基本原理 平行曲面型电容 当极板间有多层介质时： 二、结构类型 输出特性 一、变极距型电容传感器 1.空气介质变极距型（a单一式） 电容与极板的关系 空气介质变极距型（b差动式） 移动后两极板的电容分别为： 2.双层介质变极距型（加云母或塑料膜以防电压的击穿） 2.双层介质变极距型（加云母或塑料膜以防电压的击穿） 二、变面积型电容传感器 1.线位移式变面积型 例题 已知变面积型电容器的两极板间距离为d=10mm，ε=50μF/m，两极板几何尺寸一样，为l0=30mm，b=20mm，在外力的作用下，其中动极板在原位置上向外移动了Δl=10mm，试求ΔC=?,K=? 2. 角位移式变面积型（差动结构） 2. 角位移式变面积型（差动结构） 初始时： 初始时： 三、变介质型电容传感器 测位移, 湿度,厚度… 变介质型电容传感器有较多的结构型式, 可以用来测量纸张、绝缘薄膜等的厚度, 也可用来测量粮食、纺织品、木材或煤等非导电固体介质的湿度。 四、等效电路分析： 五、电容式传感器的测量电路 电容式传感器中电容值以及电容变化值都十分微小, 这样微小的电容量还不能直接为目前的显示仪表所显示, 也很难为记录仪所接受, 不便于传输。 电容转换电路有调频电路、运算放大器式电路、二极管双T型交流电桥、脉冲宽度调制电路等。 调频测量电路 调频测量电路把电容式传感器作为振荡器谐振回路的一部分。当输入量导致电容量发生变化时, 振荡器的振荡频率就发生变化。 调频电容传感器测量电路具有较高灵敏度, 可以测至0.01 μm级位移变化量。频率输出易于用数字仪器测量和与计算机通讯, 抗干扰能力强, 可以发送、接收以实现遥测遥控。 运算放大器式电路 运算放大器的放大倍数K非常大, 而且输入阻抗Zi很高。运算放大器的这一特点可以使其作为电容式传感器的比较理想的测量电路。 如果传感器是一只平板电容, 则Cx =εA/d, 则有 二极管双T型交流电桥 当e为正半周时, 二极管VD1导通、VD2截止 其输出在一个周期内的平均值为 电容器的容量受三个因素影响，即：极距x、相对面积A 和极间介电常数ε。固定其中两个变量，电容量C 就是另一个变量的一元函数。只要想办法将被测非电量转换成极距或者面积、介电常数的变化，就可以通过测量电容量这个电参数来达到非电量电测的目的。 六、应用 图示加速度传感器以微细加工技术为基础，既能测量交变加速度（振动），也可测量惯性力或重力加速度。其工作电压为2.7～5.25V，加速度测量范围为数个g，可输出与加速度成正比的电压或输出占空比正比于加速度的PWM 脉冲。 硅微加工加速度传感器原理 1—加速度测试单元 2—信号处理电路 3—衬底 4—底层多晶硅（下电极） 5—多晶硅悬臂梁 6—顶层多晶硅（上电极） 利用微电子加工技术，可以将一块多晶硅加工成多层结 构。在硅衬底上，制造出三个多晶硅电极，组成差动电容C1、C2。图中的底层多晶硅和顶层多晶硅固定不动。中间层多晶硅是一个可以上下微动的振动片。其左端固定在衬底上，所以相当于悬臂梁。 当它感受到上下振动时，C1、C2呈差动变化。与加速度测试单元封装在同一壳体中的信号处理电路将ΔC 转换成直流输出电压。它的激励源也做在同一壳体内，所以集成度很高。由于硅的弹性滞后很小，且悬臂梁的质量很轻，所以频率响应可达1kHz以上，允许加速度范围可达10g以上。 如果在壳体内的三个相互垂直方向安装三个加速度传感器，就可以测量三维方向的振动或加速度。 微加工三轴加速度传感器 技术指标： 灵敏度：500mV/g， 量程：10g， 频率范围：0.5-2000Hz，安装谐振点:8kHz， 分辨力：0.00004g， 重量：200g， 安装螺纹：M5， 线性误差：≤1% 加速度传感器安装在轿车上，可以作为碰撞传感器。当测得的负加速度值超过设定值时，微处理器据此判断发生了碰撞，于是就启动轿车前部的折叠式安全气囊迅速充气而膨胀，托住驾驶员及前排乘员的胸部和头部。 使用加速度传感器可以在汽车发生碰撞时，经控制系统使气囊迅速充气 。 利用加速度传感器实现延时起爆的钻地炸弹 机械式油量表： 电容式油量表