IGBT绝缘栅双极晶体管要点.ppt

IGBT（IGT），1982年研制，第一代于1985年生产，主要特点是低损耗，导通压降为3V，下降时间0.5us，耐压500—600V，电流25A。第二代于1989年生产，有高速开关型和低通态压降型，容量为400A/500—1400V，工作频率达20KHZ。 目前第三代正在发展，仍然分为两个方向，一是追求损耗更低和速度更高；另一方面是发展更大容量，采用平板压接工艺，容量达1000A，4500V；命名为IEGT（InjectionEnhancedGateTransistor) IGBT的构造和功率MOSFET的对比如左图所示。IGBT是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以下特征。 2耐高压、大容量 IGBT和功率MOSFET同样，虽然在门极上外加正电压即可导通，但是由于通过在漏极上追加p+层，在导通状态下从p+层向n基极注入空穴，从而引发传导性能的转变，因此它与功率MOSFET相比，可以得到极低的通态电阻。 IGBT也属场控器件，其驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种由栅极电压UGE控制集电极电流的栅控自关断器件。 导通：UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 思考与讨论 IGBT的伏安特性 反映在一定的栅极一发射极电压UGE下器件的输出端电压UCE与电流Ic的关系。 IGBT的伏安特性分为:截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。 UGEUGE(TH)(开启电压,一般为3～6V) ；其输出电流Ic与驱动电压UGE基本呈线性关系； IGBT的开关特性 （1）IGBT的开通过程： 从正向阻断状态转换到正向导通的过程。 开通延迟时间td(on) ： IC从10%UCEM到10%ICM所需时间。 电流上升时间tr ： IC从10%ICM上升至90%ICM所需时间。 开通时间ton ： ton = td(on) + tr IGBT的关断过程 关断延迟时间td(off) ：从UGE后沿下降到其幅值90%的时刻起，到ic下降至90%ICM 电流下降时间：ic从90%ICM下降至10%ICM 。 关断时间toff：关断延迟时间与电流下降之和。 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2 tfi1——IGBT内部的MOSFET的关断过程，ic下降较快； tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，ic下降较慢。 思考与讨论 门极驱动 应用实例 功率晶体管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管(BJT、MOSFET、IGBT)是自关断器件。用它们作开关元件构成的SPWM变换器，可使装置的体积小、斩波频率高、控制灵活、调节性能好、成本低。SPWM变换器，简单地说，是控制逆变器开关器件的通断顺序和时间分配规律，在变换器输出端获得等幅、宽度可调的矩形波。这样的波形可以有多种方法获得。 脉宽调制(SPWM)变换器 1．SPWM原理 根据采样控制理论，冲量相等而形状不同的窄脉冲作用于惯性系统上时，其输出响应基本相同，且脉冲越窄，输出的差异越小。它表明，惯性系统的输出响应主要取决于系统的冲量，即窄脉冲的面积，而与窄脉冲的形状无关. 图中给出了几种典型的形状不同而冲量相同的窄脉冲。他们的面积(冲量)均相同。当它们分别作用在同一个的惯性系统上时，其输出响应波形基本相同。当窄脉冲变为图中(d)所示的单位脉冲函数时，系统的响应则变为脉冲过渡函数。 图示 形状不同而冲量相同的各种窄脉冲 图中画出了一正弦波的正半波，并将其划分为k等分(图中k＝7)。将每一等分中的正弦曲线与横轴所包围的面积都用一个与此面积相等的等高矩形波所替代，从而得到一组等效于正弦波的一组等幅不等宽的矩形脉冲的方法称为逆变器的正弦脉宽调制(SPWM)。 2．单极性调制 3．双极性调制 一般将正弦调制波的幅值与三角载波的峰值之比定义为调制度M(亦称调制比或调制系数。 在SPWM变换器中，使用最多的是三相桥式逆变器。三相桥式逆变器一般都采用双极性控制方式。U、V和W三相的SPWM的控制通常公用一个三角波载波信号，用三个相位互差120°的正弦波作为调制信号，以获得三相对称输出。U、V和W各相功率开关器件的控制规律相同。 三相桥式逆变器 在双极性SPWM控制方式中，同一相上、下两个臂的驱动信号都是互补的。但实际上为了防止上、下两个臂直通而造成短路，在给一个臂施加关断信号后，再延迟时间，才给另一个臂施加导通信号。延迟时间的