第七章MCS单片机的系统扩展存储器扩展精要.pptVIP

7.1程序存储器的扩展 1.外部程序存储器的扩展原理及时序 2.地址锁存器 3.EPROM扩展电路 4.EEPROM扩展电路 7.2外部数据存储器的扩展 1.外部数据存储器的扩展方法及时序 2 .静态RAM 6264扩展 译码法 7.3 外部I/O口的扩展 1.用缓冲器和锁存器扩展I/O端口 2.用串行口扩展I/O接口 习题解答 * 第7章 MCS-51单片机的系统扩展 程序存储器的扩展 外部数据存储器的扩展 外部I/O口的扩展 系统扩展三总线的形成 ? 3. 对I/O接口的读写操作如同外部RAM的读写操作 —— 用MOVX指令实现 外部程序存储器读操作 P0口的分时输出地址信息和输入指令信息控制由ALE和PSEN实现。 为了将P0口的地址和数据分离， 用ALE的下跳沿将P0口输出的地址信号低8位锁存在地址锁存器中，地址锁存器一般选用74LS373、74LS573、8282等芯片。 外部数据存储器读/写操作 对外部数据存储器的读操作控制由ALE和RD实现。 ——执行指令：MOVX A，@DPTR 对外部数据存储器的写操作控制由ALE和WR实现。 ——执行指令：MOVX @DPTR， A 图5-1 MCS-51单片机程序存储器的扩展 ：外部程序存储器“读取”控制。 访问外部程序存储器的时序如图5-2所示。 图5-2 从外部程序存储器取指令时序 由于MCS-51单片机的P0口是分时复用的地址/数据总线，因此在进行程序存储器扩展时，必须利用地址锁存器将地址信号从地址/数据总线中分离开来。 图5-3为几种地址锁存储器的管脚配置图。 图5-3 地址锁存器 74LS373和8282都是透明的带有三态门的八D锁存器，可简化成图5-4所示的结构。 图5-4 74LS373和8282结构图 紫外线擦除电可编程只读存储器EPROM可作为MCS-51单片机的外部程序存储器，其典型产品是Intel公司的芯片2716（2K×8）、2732A（4K×8）、2764A（8K×8）、27128A（16K×8）、27256（32K×8）和27512（64K×8）等。这些芯片上均有一个玻璃窗口，在紫外线下照射20分钟左右，存储器中的各位信息均变为1，此时，可以通过编程器将工作程序固化到这些芯片中。 2732A EPROM 2732A是4K×8位紫外线擦除电可编程只读存储器，单－＋5V供电，最大静态工作电流为100mA，维持电流为35mA，读出时间最大为250ns。 2732A EPROM扩展电路 图5-7 2732A EPROM扩展电路 EEPROM是电可擦除的可编程只读存储器，它既有EPROM编程后长期保存信息的特点，又可像静态RAM那样随机读写。由于这一特点，它在单片机系统中广泛地用作程序存储器和数据存储器。 Intel 2864A是8K×8位电擦除可编程只读存储器，单－＋5V供电，最大工作电流160mA，最大维持电流60mA，典型读出时间250ns。2864A管脚配置如图5-8所示。 图5-8 2864A 管脚配置 图5-9 2864A EEPROM扩展电路 图5-10 扩展外部RAM电路原理图 图5-11 读外部数据RAM时序 图5-12 写外部数据RAM时序 6264是8K×8位的静态随机存储器芯片，它采用CMOS工艺制造，单一+5V供电，额定功耗200mW，典型存取时间200ns。 图5-14 扩展6264静态RAM 单片机在访问6264时，可以采用以下指令： MOVX @DPTR，A A中内容传至外部RAM 或 MOVX A，@DPTR 外部RAM内容读至A中 地址译码技术 线选法 线选法所谓线选法即是把单独的地址线（通常是P2口的某一根线）接到外围芯片的片选端上，只要该地址线有效（通常为低电平），就选中该芯片。 线选法的特点是连接简单，不必专门设计逻辑电路，但是各个扩展芯片占有的空间地址不连续，因而地址空间利用率低。适用于扩展地址空间容量不太大的场合。 6264的地址范围： C000H～DFFFH。 P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 P0.7 P0.6 P0.5 P0.4 P0.3 P0.2 P0.1 P0.0 1 1 0 × × × ×