图像传感器阵列技术概述.docVIP

CCD和 CMOS的显示排列技术 技术评论 序言 这篇文章提供了；一个 CCD（双向交换装置）和CMOS（预置的金属化学半导体）的 显示排列技术纲要。CCD已经存在近30年并且针对非常广大的领域已经很成熟。现在已经有稳定的装置在生产。然而CCD还存在许多缺点。如成本，复合动力提供和所能支持的 电子学。CMOS所代表的排列在另一个方面，仍然处在初期，但它在飞速发展并且提供许多潜在的利益将超过CCD。这篇序言提供了CCD和CMOS排列技术的纲要，并且包括图片捕捉和映象排列中读取的解释。也涵盖了诸如工作情况特性，成本因素和未来图像排列技术，这个序言不提供色彩传感器，色彩过滤器，色彩插入等细节，并且这个题目将成为一个特殊的报告。 CCD解释： CCD是威廉和乔治在1970年在贝尔实验室发明的。这个想法起始于搜索磁性隔离存储器，随着许多伟大的发明，Smith引述到：“我们就像一个小时发明了交换机。”在28年间，CCD发现了属于自己的广阔市场，包括传真机，复制机，照相机，扫描仪，甚至儿童玩具。 CCD包括数千计的感光器件和象素，它们能够对所接收的光线进行电子均衡交换，典型的:象素既是一个单行也是两个尺寸格子，在特别应用上，一般用于指定型号的CCD，平板扫描仪.举例：用于线性排列的CCD，他必须在捕捉一个复合尺寸图像以建立最终两个尺寸图像时革新CCD实物成像(数字照相机)。另一个方面，一般用于CCD领域，这样在单向曝光范围内允许两个满尺寸图像被捕捉。 CCD一个基本参数是分解过程，它能等同于整个建立光感装置的象素，第一区域CCD排列之一：是1974年Fairchild制造，用100x100分解。当今，最大的商用装置是将近9000x7000或甚至6300万象素，另一些参数像CCD特性将会研讨的更详细。CCD是集成电路并且今后将会像计算机一样。然而，为了光能垂直射在硅板上，以小块玻璃被插在板子上，常规的集成电路通常压缩在一个小黑塑料体以此来必要的提供机械强度，这样也防止光线照射，并且每个象素被看作一个MOS电容器，它能把光转换成电，并且读出先前存贮的资料。 CCD举例： 接下来将解释更多CCD参数设置，它的应用如下图，下表展示三个不同装置的比较，包括各自的象素属性，转换方式用来解释其次部分。 CCD基本原理 上面所述，每个象素建立一个CCD基本的MOS电容器 ，它有两种形式：表面沟和埋沟，他们的不同仅细微在他们的制造上，埋沟电容器提供主要有利条件。 因此，几乎所有今天的CCD制造都有这种结构，埋沟电容器的图解部分在图表1，这个建立在P-TYPE硅装置等同于形式在表层的N-TYPE层，下一个，一个小的二氧化硅层是随着金属电机产生的。正电压对电机反转导致的PN结偏差和由此引发在电机下电位流动直接形成的N-TYPE硅，入射的光线在消耗处产生电极洞对，并且由于应用电压，电子向N-TYPE硅层迁移并且形成电位空穴，负极变换也是这样由直接均衡的入射光线导致。 一旦曝光时间（也就是结合时间）过去，电荷将会在转变数值相对那个陷入势井 转移. Figure 1 - Buried Channel Capacitor CCD Pixel 图2为埋沟电容器的实例，此图展示了沟道阻塞，它是有许多P型半导体区域产生的大量参杂，此外，一层厚的氧化物，这层氧化物加上此区域上沟道阻塞目的为让电子从一个象素扩散到另一个象素达到最小值。 Figure 2 – Practical Buried Channel Capacitor (From [SITe94]) 电荷读出过程 电荷读出分两个阶段，第一阶段是电荷从数组表面射入，第二阶段是电荷从开始端读出并数字化。 下面为电荷转移过程，每个象素都会像各个阶段一样分成许多不动的区域，第三阶段传感器倾向于从主导到高效的绝大部分情形和高容错度，尽管是有着一，二，四阶段存在，拿第三阶段传感器举例，1和2的结合时期是保持状态，第三阶段是阻塞状态，在结合期最后，当是时候从数组中捕捉图像，接下来的过程就会发生，1阶段将发生在阻塞状态，它将会影响1和2阶段的电荷全部转移到2阶段，3阶段将会是保持状态，它将会均匀地到2阶段的电荷分布到2和3阶段。然后，2阶段将发生阻塞状态。强制将电荷从2阶段转移到3，这个过程将会循环，如图（9），电荷将会从两象素转到一个象素，整个过程如图4。 Figure 3 - Charge Transfer Figure 4 - Charge Transfer; Alternative Representation (From [Oregon97]) 第二阶段读出发生在每排象素转移之后，在最上排的象素的附加部分将读出寄存器，当电荷从一排象素转到另个排时，电荷将会从上排象素转移到读出寄存器，从这点看，电荷转入读出寄存器的作