一二极管及其应用详解.pptVIP

1.1.1　晶体二极管的单向导电特性 工程应用 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 * 　 　 　 　 * 　 　 　 　 * 　 　 　 　 * 　 　 　 　 模块一　 二极管及其应用 任务一 二极管的识别与检测 　　(1)外形：由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。如图所示； 　　(2)符号： 　　三角形——阳极（正极a）， 　　竖杠——阴极（负极k）， 　　V——二极管的文字符号。 1．晶体二极管 2．晶体二极管的单向导电性： (1)正极（阳极）电位 ＞ 负极（阴极）电位，二极管导通； (2)正极（阳极）电位 ＜ 负极（阴极）电位，二极管截止。 即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。 　　[例 1.1.1]　如图所示电路中，当开关 S 闭合后，H1、H2 两个指示灯，哪一个可能发光？ 　　解　由电路图可知，开关 S 闭合后，只有二极管 V1正极电位高于负极电位，即处于正向导通状态，所以 H1 指示灯发光。 1.1.2　PN 结（补充） PN 结的形成 二极管由半导体材料制成。 　　1．半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。 如硅(Si)或锗(Ge)半导体。 半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种： 自由电子：带负电 空穴：带与自由电子等量的正电 均可运载电荷——载流子 　　载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴，统称载流子，如图 所示。 　半导体的两种载流子 　　2．本征半导体：不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 　　本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。 　　3．杂质半导体：为了提高半导体的导电性能，在本征半导体(4 价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 　　根据掺杂的物质不同，可分两种： 　　(1)P 型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3 价)所形成的半导体，如P型硅。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 　　(2)N 型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素(5 价)所形成的半导体，如 N 型硅。其中，多数载流子为电子，少数载流子为空穴。 　　将 P 型半导体和 N 型半导体使用特殊工艺连在一起，形成PN 结。 　　4．PN 结：N 型和 P 型半导体之间的特殊薄层称为 PN 结。PN 结是各种半导体器件的核心。如图所示。 PN 结 　　晶体二极管之所以具有单向导电性，其原因是内部具有一个PN 结。其正、负极对应于 PN 结的 P 型和 N 型半导体。 　　P 区接电源正极，N 区接电源负极，PN 结导通；反之，PN 结截止。 PN 结具有单向导电特性。即： 1.1.2　二极管的伏安特性 测试二极管伏安特性电路 　　1．定义：二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。 2．测试电路：如图所示。 3．伏安特性曲线：如图所示。 4．特点： 结论：正偏时电阻小，具有非线性。 导通后 V 两端电压基本恒定： 　② VF＞VT　时，V 导通，IF 急剧增大。 　　① 正向电压 VF 小于门坎电压 VT 时，二极管 V 截止，正向电流 IF = 0； 其中，门坎电压 (1)正向特性 (UT ) [0.1V] (UD ) (2)反向特性 　　UR ＞ URM 时，IR 剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压 URM 称为反向击穿电压。 　　反向电压 UR ＜ URM(反向击穿电压)时，反向电流 IR很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。 1.1.3　二极管的种类与型号 1．二级管的种类 　　(1)按材料分：硅管、锗管 　　(2)按 PN 结面积：点接触型(电流小，高频应用)、面接触型(电流大，用于整流) 　　(3)按用途：如图所示。 二极管图形符号 　　① 整流二极管：利用单向导电性把交流电变成直流电的二极管。 　　② 稳压二极管：利用反向击穿特性进行稳压的二极管。 　　③ 发光二极管：利用磷化镓把电能转变成光能的二极管。 　　④ 光电二极管：将光信号转变为电信号的二极管。 　　⑤ 变容二极管：利用反向偏压改变 PN 结电容量的二极管 2．型号举例如下： 整流二极管——2CZ82B 稳压二极管——2CW50 变容二极管——2AC1 等等。 3．主要参数 ③ 反向漏电流 IR ：规定的反向电压和环境温度下，二极管反向电流值。 ② 最高反向工作电压 URM ：二极管允许承受的反向工作电压峰值。 ① 最大整流电流 IFM ：二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。 (1)普通整流二极管 ④ 最大反向电流 IRM ：二极管加上最高反向工作电压时的反向电流值。