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第1章 半导体器件习题 1.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特点。 2.N型半导体是在本征半导体中掺入____价元素，其多数载流子是____ ，少数载流子是____。 4.在室温附近，温度升高，杂志半导体中____的浓度将明显增加。 5. 什么是载流子的扩散运动、漂流运动？他们的大小主要与什么有关？ 3.Ｐ型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____，少数载流子是____。 return ６. 在室温下，对于掺入相同数量杂质的Ｐ型、N型半导体，其导电能力___。（ａ）二者相同； （ｂ）Ｎ型导电能力强；（ｃ）Ｐ型导电能力强； * ７.PN结是如何形成的？在热平衡下，PN结中有无净电流流过？ 8.PN结中扩散电流的方向是____ ，漂移电流的方向是____ 。 9.PN结未加外部电压时，扩散电流____漂移电流；加正向电压时，扩散电流____漂移电流，其耗尽层____；加反向电压时，扩散电流____漂移电流,其耗尽层____； 10.什么是PN结的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味PN结坏了？为什么？ 12.二极管的直流电阻RD和交流电阻rd有何不同？如何在伏安特性上表示？ return * 14.稳压二极管是利用二极管的＿＿＿特性进行稳压的。（a）正向导通；（b）反向截止；（c）反向击穿 15.二极管电路如图所示,已知输入电压 ,二极管的正向压降和反向电流均可忽略.试画出输出电压 的波形. (a) (b) (c) (d) return * 16.电路如图所示, ,试画出输出电压 的波形. (a) (b) 17.由理想二极管组成电路如图所示,试确定各电路的输出电压. (a) (b) 6kΩ 6kΩ return * 18.为了使三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度 ；基区宽度 ；集电结结面积比发射结结面积 ,其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用(即三极管反接),能否起放大作用? 19.三极管工作放大区时,发射接结为 ,集电结为 ；工作在饱和区时，发射结____,集电结____；工作在截止区时，发射结为_____，集电结为_____。 (a)正向偏置,(b)反向偏置,(c)零偏置 20.工作在放大区的某三极管，当IB从20μA增大40μA到时，IC从1mA变成2mA。它的β约为 。(50,100,200) 21.工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是 ,流过集电结的电流主要是 。 (a)扩散电流, (b)漂移电流 22.当温度升高时,三极管的β ,反向饱和电流ICBO , UBE _____ 。 return * 23.某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA时,基极电流是 多少?该管的β为多大? 另一只三极管,其β=100,当发射极电流为5mA时,基极电 流是多少?该管的α为多大? 25.放大电路中两个三极管的两个电极电流如图所示. (1)求另一个电极电流,并在图上标出实际方向. (2)判断它们各是NPN还是PNP型管,标出e、b、c极。 (3)估算它们β 和α的值. 0.1mA 4mA (a) () 0.1mA 6.1mA (b) return * 26.放大电路中，测得几个三极管的三个电极电压U1、U2、U3 分别为下列各组数值，判断它们是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管，并确定e、b、c。 （1）U1=3.3V U2=2.6V U3=15V （2）U1=3.2V U2=3V U3=15V （3）U1=6.5V U2=14.3V U3=15V （4）U1=8V U2=14.8V U3=15V 27.用万用表测量某些三极管的管压降为下列几组值,说明每个管子是NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管,并说明它们工作在什么区域. （1）UBE =0.7V, UCE = 0.3V （5） UBE =-0.2V, UCE =-0.3V （2）UBE =0.7V, UCE = 4V （6） UBE =-0.2V, UCE =-4V （3）UBE =0V, UCE =4V （7） UBE =0V, UCE =-4V return * 第1章 半导体器件习题答案（部分） 2.五、电子、空穴 3.三、空穴、电子 4.少子 6.（a） 7．无 8．Ｐ　Ｎ　　Ｎ　Ｐ 9．等于、大于、变窄、小于、变宽。 return 14.（c） * (c) ωt ωt ωt (a) ωt ωt (b) 15. ωt (d) uo uo * ω