47光电式传感器要点.ppt

当光照射到金属或金属氧化物的光电材料上时，光子的能量传给光电材料表面的电子，如果入射到表面的光能使电子获得足够的能量，电子会克服正离子对它的吸引力，脱离材料表面而进入外界空间，这种现象称为外光电效应。 即外光电效应是在光线作用下，电子逸出物体表面的现象。 根据外光电效应做出的光电器件有光电管和光电倍增管。 CCD图像传感器 利用CCD的光电转移和电荷转移的功能，得到幅度与各光生电荷包成正比的电脉冲序列，从而将照射在CCD上的光学图像转移成了电信号“图像”。 由于CCD能实现低噪声的电荷转移，并且所有光生电荷都通过一个输出电路检测，且具有良好的—致性，因此，对图像的传感具有优越的性能。 线列和面阵 CCD线列图像器件 面阵CCD 200万和1600万像素的面阵CCD CCD用于图像记录 数码相机的结构解剖（索尼F828） CCD数码摄像机 ????各种单色分别被相邻的光敏元件记录下来，生成的图像颜色是分离的，最后还需要通过一些处理过程把这些数值合成为彩色的图像。数码相机里面，这个处理过程称之为插值。通常的做法是计算1个像素周围8个像素的颜色值，然后根据它自身所记录的颜色值，结合计算出最终像素的混合颜色值。 MOS电容的结构 1．金属 2．绝缘层SiO2 CCD的工作原理和结构 结构 CCD是由若干个电荷耦合单元组成的。其基本单元是MOS（金属-氧化物-半导体）电容器。 它以P型（或N型）半导体为衬底，上面覆盖一层SiO2，再在SiO2表面依次沉积一层金属电极而构成MOS电容转移器件。这样一个MOS结构称为一个光敏元或一个像素。将MOS阵列加上输入、 输出结构就构成了CCD器件。 CCD光敏元显微照片 P型 MOS光敏元 电荷存储原理 构成CCD的基本单元是MOS电容器。与其它电容器一样， MOS电容器能够存储电荷。 如果MOS电容器中的半导体是P型硅，当在金属电极上施加一个正电压Ug时，P型硅中的多数载流子（空穴）受到排斥，半导体内的少数载流子（电子）吸引到P-Si界面处来，从而在界面附近形成一个带负电荷的耗尽区， 也称表面势阱。对带负电的电子来说， 耗尽区是个势能很低的区域。 在一定的条件下，所加正电压Ug越大，耗尽层就越深，势阱所能容纳的少数载流子电荷的量就越大。 如果有光照射在硅片上， 在光子作用下，半导体硅产生了电子-空穴对，光生电子被附近的势阱所吸收，而空穴被排斥出耗尽区。势阱内所吸收的光生电子数量与入射到该势阱附近的光强成正比。即使光照停止，一定时间内也不会损失，光信息就这样被记录下来了。 电荷定向转移原理 首先，必须使MOS电容器阵列的排列足够紧密，以致相邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合。通常相邻MOS电容电极间隙必须小于3um，甚至小于0.2um以下。 其次根据加在MOS电容上的电压越高，产生的势阱越深的原理，通过控制相邻MOS电容栅极电压的高低来调节势阱深浅，以使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处。 注意：CCD电荷的转移必须按照确定的方向。因此必须在MOS阵列上所加的各路电压脉冲必须严格满足相位要求，使得任何时刻势阱的变化总是朝一个方向。 为了实现定向转移，在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电容为一个单元的结构，每个单位称为一位，将每一位中对应位置上的电容栅极分别连接到各自共同的电极上。 一位CCD中包含的电容个数称为CCD的相数。每相电极上连接的电容的个数一般称为CCD的位数。 在n相CCD中施加n相电压脉冲，即可实现信号电荷的定向转移。 如果在每一位的三个电极上都加上如图a所示的脉冲电压，则可以实现电荷的转移。 CCD在时钟脉冲的控制下，势阱的位置可以定向移动，信号电荷也就随之转移，CCD就是这样工作的。 信号电荷的检测 即信号的输出，是将CCD中的信号电荷变换为电流或电压输出，以检测信号电荷的大小。 若要检测下一个电荷包，必须在复位管V1的栅极再加一个正脉冲，使A点复位。在连续检测信号电荷包时，输出为脉冲调幅信号。 线阵CCD外形 线阵CCD检测工件尺寸 线阵CCD在扫描仪中的应用 线阵CCD在图像扫描中的应用 线阵CCD摄像机可用于彩色印刷中的套色工艺监控 风云一号卫星可以对地球上空的云层分布进行逐行扫描 线阵CCD用于字符识别 CCD面阵图像器件 缺点：需要的行选址电路（时钟电路）比较复杂，并且在传输转移时，光积分还在进行，会出现“拖影”。采用较少。 时钟电路简单些，但“拖影”现象仍有。 良好的图像抗干扰能力，但暂存区降低了器件的收光效率。 CCD 红外发射、接收对管外形 红外发射管 红外接收管 当光不照射时，光敏二极管反偏，处于载止状态，这时只