含有p-GaN 纳米阵列的InGaN_GaN 双异质结太阳能电池的制作.pdfVIP

2011 年 第 56 卷 第 2 期： 174 ~ 178 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 含有p-GaN 纳米阵列的InGaN/GaN 双异质结太阳能 电池的制作 ① ①* ①② ① ② ① 唐龙娟 , 郑新和 , 张东炎 , 董建荣 , 王辉 , 杨辉 ① 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215125; ② 中国科学院半导体研究所, 北京 100083 * 联系人, E-mail: xhzheng2009@ 2010-09-06 收稿, 2010-12-03 接受 国家重点基础研究发展计划(2007CB936701)和苏州高效太阳能电池技术重点实验室(ZXJ0903)资助项目 摘要 提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN 双异质结太阳能电池外量子效率的方法, 关键词 即将p-GaN 刻蚀成纳米阵列结构. 我们使用Ni 退火形成微结构掩模, 通过感应耦合等 纳米阵列结构 离子体(