低介电常数材料论文.docVIP

低介电常数材料的特点、分类及应用 胡扬 摘要: 本文先介绍了低介电常数材料（Low k Materials）的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性，举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工艺研究的重要课题，并展望了其发展前景。正文部分综述了近年研究和开发的材料，如有机和无机低ｋ材料，掺氟低ｋ材料，多孔低ｋ材料以及纳米低ｋ材料等， 关键词：低介电常数；聚合物；掺氟材料；多孔材料；纳米材料 1．引言 随着ULSI器件集成度的提高，纳米尺度除用低电阻率金属（铜）替代铝，普遍采用的SiO2（k：39～42）。对工艺集成的研究，成为半导体ULSI工艺的重要分支。这些低ｋ材料需：电性能低损耗和低泄漏电流；机械性能高附着力和高硬度化学性能耐腐蚀和低吸水性；热性能高稳定性和低收缩性。介电常数不仅仅决定于材料本身的固有性质，而且会因为制备条件和方法的不同而有所变化。化学汽相沉积是制备ＵＬＳＩ低介材料的重要技术，沉积不同的薄膜应采用不同的ＣＶＤ技术，而制备同一种薄膜采用的ＣＶＤ技术不同，也会使材料的某些性能有所差异。例如用ＰＥＣＶＤ制备的ＳｉＣＯＨ薄膜，ｋ值可由先前的２４降至２１，若将它在４００ 下进行４ ｈ的后期退火，可进一步降低ｋ值至１９５。通过对沉积方法的选择和对沉积参数的优化，能得到更符合要求的低介材料薄膜。.１有机低ｋ材料有机低ｋ材料种类繁多