晶体三极管输入和输出特性详解.ppt

输出特性曲线 饱和区（ VBE? 0.7V，VCE0.3V ） 三极管安全工作区 从结构看： 总结: 从电路符号看： 无论是NPN还是PNP管，都有两个PN结，三个区，三个电极。 除了发射极上的箭头方向不同外，其他都相同，但箭头方向都是由P指向N，即PN结的正向电流方向。 三、三极管的工作状态及其外部工作条件 发射结正偏，集电结反偏：放大模式 发射结正偏，集电结正偏：饱和模式 发射结反偏，集电结反偏：截止模式 例子 （最常用） （用于开关电路中） 在放大电路中三极管主要工作于放大状态，即要求，发射结正偏(正偏压降近似等于其PN结的导通压降），集电结反偏（反偏压降远远大于其导通电压才行）。 对NPN管各极电位间要求： 对PNP管各极电位间要求： VeVb Vc VeVbVc 管子类型判别例子(黑板） 发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 发射区掺杂浓度基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。 基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。 基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。 总结 * * * * * * * 第六章 分立元器件基本电路 * * 2.1 晶体三极管输入和输出特性 2.1.4 三极管的输入和输出特性 2.1.5 三极管主要参数 2.1.6 三极管的简单测试 1.5.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 下一页 上一页 首 页 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 1.5 下一页 上一页 首 页 3、三极管共射组态的输入特性曲线 BJT的输入特性曲线为一组曲线 ib (μA) uBE U（BR）EBO ICBO＋ICEO UCE=0 UCE=1 UCE=10 iB (μA) uBE UCE=0 UCE=1 UCE=10 2.1.4 三极管的输入和输出特性 集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。 一、共发射极输入特性曲线 动画 三极管的输入特性 5．VBE与IB成非线性关系。 由图可见： 1．当V CE ≥2 V时，特性曲线基本重合。 2．当VBE很小时，IB等于零， 三极管处于截止状态； 3．当VBE大于门槛电压（硅管 约0.5V，锗管约0.2V）时， IB逐渐增大，三极管开始导 通。 4．三极管导通后，VBE基本不 　 变。硅管约为0.7V，锗管 　 约为0.3V，称为三极管的导 　 通电压。 图2.1.9 共发射极输入特性曲线 1.5.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 下一页 上一页 首 页 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 饱和区 1.5 截止区 放大区 有三个区： 下一页 上一页 首 页 三、 三极管特性曲线（讲授40分钟） iB=iB2 iB=iB3 饱和区 击穿区 截止区 临界饱和线 uCE iC U（BR）CEO iB=-ICBO iB=iB1 iB=iB4 iB=iB5 ib (μA) uBE U（BR）EBO ICBO＋ICEO UCE=0 UCE=1 UCE=10 iB=-ICBO 2、三极管共射组态的输出特性曲线： 饱和区 U（BR）CEO 击穿区 截止区 临界饱和线 uCE iC iB=iB5 iB=iB4 iB=iB3 iB=iB2 iB=iB1 iB=-ICBO U（BR）CEO 击穿区 截止区 uCE iC iB=iB5 临界饱和线 饱和区 iB=iB1 iB=iB2 iB=iB3 iB=iB4 iC1 iC2 iC3 iC4 在放大区，iC随着iB按β倍成比例变化，晶体管具有电流放大作用。对输入信号进行放大就要使三极管工作在放大区。 放大区的特点是：发射结正偏，集电结反偏，iC＝βiB。 EC ICBO iB=-ICBO U（BR）CEO 击穿区 截止区 uCE iC iB=iB5 iB=iB4 iB=iB3 iB=iB2 iB=iB1 IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。IB = 0 时