光电传感和检测第2章光电检测技术基础1.ppt

“备”则“倍” 有准备、有规划的人生更精彩！ 光敏三极管的（调制）频率特性 光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应。 一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。 对于锗管，入射光的调制频率要求在5000Hz以下，硅管的频率响应要比锗管好。 2CU型硅光电二极管参数 参数 型号 光谱响应范围 光谱峰值波长 最高工作电压 暗电流 光电流 灵敏度 响应时间 结电容 使用温度 2CU1A 400～1100 860～900 10 0.2 80 ≥0.5 10-7 5 -55~ +125 光电位置敏感器件（PSD） PSD用于测量光斑的位置或位置的移动量 光束入射光敏层,在入射位置产生与入射辐射成正比的信号电荷,该电荷形成的光电流(I1 , I2)由信号电极1和2输出，３为公共电极 XＡ: 位置信号 I0 = I1 + I2 L 光 L xA I1 I2 I0 １ ２ ３ Ｐ层 i 层 Ｎ层 光电倍增管(R928) 光电倍增管BB49-CR162 光电倍增管（Photo-Multiple Tube） 1、光电倍增管 ①工作原理 基于外光电效应和二次电子发射效应的电子真空器件。它利用二次电子发射使逸出的光电子倍增，获得远高于光电管的灵敏度，能测量微弱的光信号。光电倍增管包括阴极室和由若干打拿极组成的二次发射倍增系统两部分（见图）。 阴极室的结构与光阴极K的尺寸和形状有关,它的作用是把阴极在光照下由外光电效应（见光电式传感器）产生的电子聚焦在面积比光阴极小的第一打拿极D1的表面上。二次发射倍增系统是最复杂的部分。打拿极主要选择那些能在较小入射电子能量下有较高的灵敏度和二次发射系数的材料制成。常用的打拿极材料有锑化铯、氧化的银镁合金和氧化的铜铍合金等。打拿极的形状应有利于将前一级发射的电子收集到下一极。 在各打拿极 D1、D2、D3…和阳极A上依次加有逐渐增高的正电压,而且相邻两极之间的电压差应使二次发射系数大于1。这样,光阴极发射的电子在D1电场的作用下以高速射向打拿极D1,产生更多的二次发射电子,于是这些电子又在D2电场的作用下向D2飞去。如此继续下去，每个光电子将激发成倍增加的二次发射电子，最后被阳极收集。 端窗式：百叶窗倍增极结构 侧窗式：圆形鼠笼结构 端窗式：盒栅倍增极结构 端窗式：瓦片静电聚焦结构 注意：各种光电检测器件的性能比较＆应用选择 一、接收光信号的方式 1、光信号的有无 被测对象造成投射到光电器件上的光信号截断和通过； 2、光信号按一定频率交替变化 光信号的输入是有一定频率的，必须使所选器件的上限截止 频率大于输入信号的频率才能测出输入信号的变化； 3、光信号的幅度大小 当被测对象因对光的反射率、透过率变化或被测对象本身光 辐射的强度变化，此时光信号幅度大小亦改变； 4、光信号的色度差异 当被测对象本身光辐射的色温存在差异或表面颜色变化时， 必须选择合适的光谱特性的器件。 二、各种光电检测器件的性能比较 波长响应范围 输入光强范围 最大灵敏度 输出电流 光电特性直线性 动态特性 外加电压 受光面积 稳定性 外形尺寸 价格 主要特点 短波 峰值 长波 频率响应 上升时间 光电管 紫外 红外 10－9～1 20～50 10mA 好 2MHz 0.1微秒 50～400 大 良 大 高 微光测量 光电倍增管 紫外 红外 10－9～1 109 10mA 最好 10MHz 0.1微秒 600~2800 大 良 大 最高 快速、精密微光测量 光敏电阻 400nm 640 900 1微瓦～70mW 1A/lm.V 10mA~1A 差 1kHz 0.2~1毫秒 100～400 大 一般 中 低 多元阵列光开关输出电流大 光电池 400 800 1200 1微瓦～1瓦 0.3~0.65 1A 好 50kHz 0.5~100微米 不要 最大 最好 中 中 象限光电池输出功率大 光电二极管 400 750 1000 1微瓦～200毫瓦 0.3~0.65 1mA以下 好 200kHz~10MHz 2微秒以下 100～200 小 最好 最小 低 高灵敏度、小型高速传感器 光电三极管 同上 0.1微瓦～100毫瓦 0.1~2 1~50mA 较好 100kHz 2~100 50 小 良 小 低 有电流放大小型传感器 三、光电检测器件的应用选择（注意事项） 光电检测器件必须＆辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配； 光电检测器件的光电转换特性必须＆入射辐射能量相匹配（主要是感光面）； 光电检测器件必须＆光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形＆良好的时间响应； 光电检测器件必须＆输入电路在电特性上良好地匹配，以保证有足够大的