第章电力电子器件概述解读.ppt

1-* 本章小结 特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。 电流驱动型：双极型器件中除SITH外 特点：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大,驱动电路较复杂。 电压驱动型：单极型器件和复合型器件，双极型器件中的SITH 1-* 本章小结 IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO。 GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA。 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大。 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固。 功率模块和功率集成电路是现在电力电子发展的一个共同趋势。 当前的格局: 1-* P42:1、2、4、5 作业 * * * * 第一章 * 121 第一章 * 10 李鹤轩P19，表9.3-5 * 第一章 晶闸管 共19页 * 第一章 晶闸管 共19页 * * 1-* 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 擎住效应或自锁效应(失控现象)： IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件（是实际需要造成的） 。 ——最大集电极电流、最大集