第一章半导体器件的特性(new)祥解.pptVIP

1.3.1晶体管的结构及符号 结构：三个区：发射区、基区和集电区 三个极：发射极、基极和集电极 两个结：发射结、集电结 1.3 双极型晶体管 晶体管结构示意图 晶体管符号 生成类型：合金型和平面型 要实现电流放大作用，要求： 发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低； 集电结面积大。 1.3 双极型晶体管 1.3.2晶体管的电流放大作用 晶体管正常工作的外部条件：发射结外加正向电压VBE，集电结加上较大的反向偏压VCB。 1.3 双极型晶体管 管内载流子的传输过程 传输过程可分三步： 1）发射区向基区注入载流子，形成发射结电流IE ； 2）电子在基区扩散和与基区空穴复合，形成基极电流IB ； 3）集电结收集电子 ，形成集电极电流ICE 晶体管直流电流传输方程 一、共基极直流电流传输方程 共基极电流放大系数 ： 1.3 双极型晶体管 共基极直流电流传输方程： 三个极之间电流关系： 1.3 双极型晶体管 二、共发射极直流电流传输方程 定义共发射极直流放大系数： 共发射极直流电流传输方程： 穿透电流： 三、共集电极直流电流传输方程 1.3 双极型晶体管 共集电极直流电流传输方程： 1.3.3 晶体管的共射组态特性曲线 一、输入特性曲线 分析： 时：集电结正偏，相当于 两个二极管并联的正向特性。 时：曲线右移，集电结由正偏向 反偏过渡，开始收集电子。 后，曲线基本不变，电流分配关 系确定。 1.3 双极型晶体管 特性曲线测量电流 输入特性曲线 二、输出特性曲线 1.3 双极型晶体管 输出特性曲线 三个区： 放大区：iC平行于vCE轴的区域， 曲线基本平行等距。此时，发射结 正偏，集电结反偏。 饱和区：vCE减小到一定程度，集电结吸引电子能力削弱。 iB失去对iC控制作用，失去放大作用，饱和。饱和压降VCE(sat) 很小。饱和时集电结、发射结都正偏。 截止区：发射极和集电结均反偏。反向饱和电流存在。 1）共发射极电流放大系数 1.3.4 晶体管的主要参数 一、电流放大系数 1.3 双极型晶体管 直流电流放大系数： 1）共发射极电流放大系数 直流电流放大系数： 2）共基极电流放大系数 直流电流放大系数： 交流电流放大系数： 交流电流放大系数： 二、极间反向电流 1）集电极－基极反向饱和电流ICBO 2）穿透电流ICEO 三、频率参数 1）共发射极截止频率 1.3 双极型晶体管 2）共基极截止频率 3）特征频率 1.3 双极型晶体管 四、极限参数 1）集电极最大允许电流ICM： 2）集电极最大允许耗散功率PCM 3）反向击穿特性： V(BR)CBO——发射极开路，集电极－基极间的反向击穿电压。 V(BR)CEO——基极开路，集电极－发射极间的反向击穿电压。 V(BR)EBO——集电极开路，发射极－基极间的反向击穿电压。 小结 本讲主要介绍了以下基本内容： 双极性晶体管的结构和类型：NPN、PNP 晶体管的电流放大作用和电流分配关系 晶体管具有放大作用的内部条件 晶体管具有放大作用的外部条件 晶体管直流电流传输方程 三种不同的连接方式：共基极、共发射极和共集电极 晶体管的共射组态曲线特性 晶体管的主要参数 1.3 双极型晶体管 特点： 利用输入回路的电场效应控制输出回路的电流；仅靠半导体中的多数载流子导电（单极型晶体管）；输入阻抗高（107~1012?），噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗小。 分类： 1.4 场效应管 1.4.1结型场效应管 一、结构 1.4 场效应管 N沟道结型场效应管结构示意图 N沟道管符号 P沟道管符号 二、工作原理 1.4 场效应管 vDS=0时， vGS 对沟道的控制作用 当vGS＜0时， PN结反偏，| vGS |? ?耗尽层加厚?沟道变窄。 vGS继续 减小，沟道继续变窄，当沟道夹断时， 对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 若在漏源极间加上适当电压，沟道中有 电流iD流过。 vGS＝0时，iD较大； vGS＝VGS(off)时，iD近似为零， 这时管子截止。 三、特性曲线 1 输出特性 2 转移特性 1.4 场效应管 输出特性：分为三个区 可变电阻区 恒流区（放大工作区） 击穿区 输出特性曲线和转移特性曲线 1.4.2 绝缘栅型场效应管 1.4 场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道特性曲线 1.4.3主要参数 1.4 场效应管 （一）直流参数 ①开启电压VGS(th)：对