第九章光纤通信技术—4祥解.pptVIP

④噪声特性。PD的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声以及负载电阻的热噪声。噪声影响光接收机的灵敏度。量子噪声是由于入射光子和所形成的电子一空穴对都具有离散性和随机性而产生，与平均光电流Ip成正比。暗电流Id噪声是当没有入射光时流过器件偏置电路的电流，它是由于PN结内热效应产生的电子一空穴对形成的，是PIN-PD的主要噪声源。除此之外，PD中还有表面漏电流IL。表面漏电流是由于器件表面物理特性的不完善，如表面缺陷、不清洁和加有偏置电压而引起的。电阻的热噪声指， 温度高于绝对零度时，电阻中大量的电子就会在热激励下做无规则运动，而在电阻上形成的无规则弱电流。 除负载电阻的热噪声以外，其他都为散弹噪声。散弹噪声是由于带电粒子产生和运动的随机性而引起的一种具有均匀频谱的白噪声。 （9.31） 式中，Ip为光电流，暗电流Id均为暗电流，IL为面漏电流，Δ f为噪声带宽。量子噪声不同于热噪声，它伴随着信号的产生而产生，随着信号的增大而增大。当没有光入射时，信号消失，量子噪声也同时消失。 3.雪崩光电二极管(APD) (1) APD的结构与工作原理 APD是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩倍增效应来使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。工作电压很高，为100 ～ 200 V，接近于反向击穿电压。当耗尽层中的场强达 到足够高时，人射光产生的电子或空穴在强电场中可得到极大的加速，而获得很高的能量，高能量的电子和空穴在运动过程中与晶格碰撞，使晶体中的原子电离，激发出新的电子-空穴对。碰撞电离产生的电子和空穴在电场中又被加速，电离其他的原子，经过多次电离后，载流子迅速增加，形成雪崩倍增效应。因此，ADP具有很高的内增益，可达到几百。 ADP响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种PD。 图9. 40为一种被称为拉通型APD(RAPD)的结构，大致和PI N-PD相同。这是一种全耗尽型结构，具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。这里的P层是稍微填加了受主元索的P型半导体，意味着P层是高阻层。π层为低掺杂区(接近本征态)，而且很宽。当偏压加达到一定程度后，耗尽区将被拉通到π层，一直抵达P+层。 倍增的高电场区集中在PN+结附近窄的区域内。随着偏置电压的增加，结区的耗尽层逐渐加宽，直到P区的载流子全部耗尽，使P区成为耗尽区。进一步加大偏置电压，耗尽区逐渐扩大，直至“拉通”到整个π区。π区较宽以提高量子效率，π区电场比PN+结区电场低。入射光子在π区吸收后建立一次电子一空穴对，其中电子在电场作用下向PN+结漂移，并在PN+结区内产生雪崩倍增;一次空穴则直接被P+吸收。 (2) APD的特性 与PIN-PD相比，APD的主要特性也包括波长响应范围、量子效率、响应度、响应速度等，APD响应度、量子效率与波长的关系如图9. 41所示。 图9. 41 ADP光电二极管响应度、量子效率与波长的关系 除此之外，由于APD中雪崩倍增效应的存在，APD的特性还包括雪崩倍增特性、倍增噪声、温度特性等。 ①倍增因子g倍增因子g指一次光生电流产生的平均增益的倍数，定义为APD输出光电流I0和一次光生电流Ip的比值: (9.32) g值随反向偏压、波长和温度而变化。显然，APD的响应度比PIN-PD增加了g倍。现在APD的g值已达到几十甚至上百。 ②噪声特性。APD中的噪声除了量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声之外，还有附加的倍增噪声。 雪崩倍增效应不仅对信号电流有放大作用，而且对噪声电流也有放大作用。同时雪崩效应产生的载流子也是随机的，所以会引人新的噪声成分。用附加噪声因子F(大于1)可描述雪崩效应的随机性所引起的噪声增加的倍数。通常附加噪声因子可表示为 F=gx (9.33) 式中，x称为附加噪声指数，反映了不同材料的APD的附加噪声的大小。对于Si，x=0.3 ～ 0.5;对于Ge，x= 0. 6 ～ I. 0;对于InGaAsP，x=0. 5 ～ 0. 7 。 APD中表面漏电流不被倍增，热噪声与PIN的特性相同。量子噪声为 (9.34) 暗电流噪声为 (9.35) 当(9