第二章纯金属的结晶祥解.pptVIP

图 均匀形核率和非均匀形核率随过冷度变化的对比 第五节 晶核长大 图 液-固界面上的原子迁移 一旦核心形成后，晶核就继续长大而形成晶粒。 系统总自由能随晶体体积的增加而下降是晶体长大的驱动力。晶体的长大过程可以看作是液相中原子向晶核表面迁移、液-固界面向液相不断推进的过程。 固-液界面(Solid-liquid interface)按微观结构可以分为光滑界面(Smooth interface)和粗糙界面(Rough interface)两种。 所谓光滑界面是指固相表面为基本完整的原子密排面，固液两相截然分开，从微观上看界面是光滑的。但是从宏观来看，界面呈锯齿状的折线。 粗糙界面在微观上高低不平、粗糙，存在几个原子厚度的过渡层。但是宏观上看，界面反而是平直的。 光滑界面和粗糙界面是根据微观结构进行分类的，光滑界面在微观上是光滑的，在宏观上是粗糙的；粗糙界面在微观上是粗糙的，在宏观上是光滑的。 图 图 §2.5.1 固液界面的微观结构 图 光滑界面（a）和粗糙界面（b）的微观和宏观结构示意图 返回 晶体长大机制是指在结晶过程晶体结晶面的生长方式，与其液-固相界面的结构有关。 §2.5.2 晶体长大机制 1.具有粗糙界面的物质的长大机制 2.具有光滑界面的物质的长大机制 1.具有粗糙界面的物质的长大机制 具有粗糙界面的物质，液-固相界面上有大约一半的原子位置是空的，液相中的原子可随机地添加在界面的空位置上而成为固相原子。晶体的这种生长方式称为垂直生长机制，其长大速度很快。 图 晶体的垂直长大方式示意图 2.具有光滑界面的物质的长大机制 （1）二维晶核台阶生长模型 首先在平整界面上通过均匀形核形成一个具有单原子厚度的二维晶核，然后液相中的原子不断地依附在二维晶核周围的台阶上，使二维晶核很快地向四周横向扩展而覆盖了整个晶体表面，此时便又变成了光滑界面。接着在新的界面上又形成新的二维晶核，并向横向扩展而长满一层。 晶体以这种方式长大时，其长大速度十分缓慢。 图 二维晶核长大示意图 （2）晶体缺陷台阶生长机制 由于二维晶核的形成需要一定的形核功，因而需要较强的过冷条件，长大速率很慢。 如果结晶过程中，在晶体表面存在着垂直于界面的螺位错露头，那么液相原子或二维晶核就会优先附在这些地方。液相原子不断地添加到由螺位错露头形成的台阶上，界面以台阶机制生长和按螺旋方式连续地扫过界面，在成长的界面上将形成螺旋新台阶。这种生长是连续的。 图 螺型位错长大机制 图 螺旋长大的SiC晶体 纯金属凝固时晶体的生长形态取决于界面的微观结构和界面前沿液相中的温度分布。 图 两种温度分布方式 (a) 正温度梯度 (b) 负温度梯度 §2.5.3 固液界面前沿液体中的温度梯度 思考题 为什么会出现负的温度梯度？ 液态金属在铸模中凝固时，往往由于模壁温度比较低，使靠近模壁的液体首先过冷而凝固。而在铸模中心的液体温度最高，液体的热量和结晶潜热通过固相和模壁传导而迅速散出，这样就造成了液-固相界面前沿液体的温度分布为正的温度梯度。 在缓慢冷却条件下，液体内部的温度分布比较均匀并同时过冷到某一温度。这时在模壁上的液体首先开始形核长大，液-固相界面上所产生的结晶潜热将同时通过固相和液相传导散出，这样使得界面前沿的液体中产生负的温度梯度。 第六节 结晶理论的某些实际应用 §2.6.1晶粒大小的控制 1.表示：晶粒的大小，通常用单位体积中的晶粒数或近似的把晶粒看成球体，用它们的平均直径来衡量，称作晶粒度。 2.晶粒度主要取决于形核率与晶核的长大速度。 3.控制晶粒大小的途径： 增加过冷度；变质处理；振动搅拌 细化晶粒的好处：提高强度、硬度、塑性和韧性。 工业上将通过细化晶粒来提高材料强度的方法称为细晶强化。 细化铸件晶粒的基本途径：形成足够多的晶核，使它们在尚未显著长大时便相互接触，完成结晶过程。 大的形核率以保证单位时间、单位体积液体中形成更多的晶核。要求结晶时有小的长大线速度以保证有更长的形核时间。 1.提高过冷度 过冷度增加，形核率N与长大线速度G均增加，但形核率增加速度高于长大线速度增加的速度，因此，增加过冷度可以使铸件的晶粒细化。 在工业上增加过冷度是通过提高冷却速度来实现的。 采用导热性好的金属模代替砂模；在模外加强制冷却；在砂模里加冷铁以及采用低温慢速浇铸等都是有效的方法。 对于厚重的铸件，很难获得大的冷速，这种方法的应用受到铸件尺寸的限制。 2.变质处理 外来杂质能增加金属的形核率并阻碍晶核的生长。 如果在浇注前向液态金属中加入某些难熔的团体颗粒，会显著地增加晶核数量，使晶粒细化。这种方法称为变质处理，加入的难熔杂质叫变质剂。 变质处理是目前工业生产中广泛应用的方法。 如往铝和铝