半导体基础知识分析报告.pptVIP

0 ＞V1＞ UOFF ， V2= V1 －UOFF时沟道开始夹断，夹断后的饱和电流IN也是介于零到饱和最大电流INS之间。大小与V1有直接关系 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术基础 Kn为N沟道导电常数（单位是mA/），将不同控制电压下的导电面积折算成电流。 表达式中为什么没有V2 ？ 3. 受控制电流表达式 INS =Kn 是V1 =0时N沟道的最大饱和电流，该参数比Kn更容易获得。 恒流区的转移特性与受控电流表达式是对应的。 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术基础 4. 特性曲线 该特性曲线可通过受控回路的伏安特性来画出，故称转移特性。 导电沟道的伏安特性如下： 1.3.2 增强型导电沟道 耗尽型利用两侧的PN结直接对中间的半导体导电沟道进行控制。增强型则是用感应沟道将两侧的半导体相连共同形成导电沟道。 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术基础 当V1=0时，初始导电沟道为零、沟道阻值近似无穷大，沟道截止，此时沟道能流过的电流近似为零。 当V1 ＜ UON 开启电压时，所吸引的自由电子不仅数量有限，而且会被附近的空穴所复合，只是在绝缘层附近留下不能参与导电的负离子电荷区，沟道仍截止。 当V1 ＞ UON 后，所吸引的自由电子除了被附近的空穴复合外，多余的自由电子则形成N型导电沟道，控制电压越高导电能力越强，沟道导通。 感应导电沟道 沟道开启后： 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术基础 感应导电沟道 当V1 －V2 ＞ UON时，随着V2和IN的增加顶部沟道会变窄，随着阻值的增大增量电流在减小。 当V1 －V2 ≤ UON 时，沟道夹断、IN不再增加。 增强型控制也可用转移特性及输出伏安特性来描述 受控制电流表达式 开启电压与夹断电压？ 1.3.2 增强型导电沟道 1.3.3 电流注入型导电沟道 基本原理：利用正偏的PN结来影响反偏PN结的导电性。有注入电流导电，没有注入电流不导电，导电能力由注入电流大小决定。 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术基础 内部条件：中间的半导体掺杂浓度最低而且很薄，J1、J2接近重合。 当V1=0时，J1无偏置电压，电流I1为零。受控回路中的J2反向偏置截止，电流I2也为零。 外部条件：控制回路中的J1正偏、受控回路中的J2反偏。 要实现这一点需要满足内、外两个条件： 当V1 ＞ 0时，J1正偏，N1区的扩散电子形成I1电流。由于J1、J2很近，扩散到P区的电子很容易进入J2形成漂移电流I2。 J2虽为反向偏置，由于漂移电流的增加而导通。 J1正偏后： 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术基础 漂移到N2区的电子 若V2 较小不能保证 J2反偏，则漂移到N2区电子很少。 J2反偏后， N2区收集的漂移电子与N1区发射的电子形成一定的比例，可用?参数来表示，则受控回路电流： 1.3.3 电流注入型导电沟道 I2 = ? I3 根据节点电流方程： 用β参数代替? /(1－?)则有： 由于β参数大于1，还体现了电流放大作用。 改变V1、V2会怎样？ 1. 本征半导体基本不导电，杂质半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间与掺杂浓度有关。杂质半导体分N型和P型两种，空穴导电是半导体不同于金属导电的重要特点。 本章小结 3.半导体的导电能力有三种控制方式：一是直接利用PN结消耗多数载流子；二是透过绝缘层利用异性电荷相吸原理，产生大小可变的反型感应导电沟道；三是利用不对称性影响PN结的反向特性的导电能力。 2. P型半导体与N型半导体结合会形成一个PN结也称空间电荷区或耗尽层。当PN结正向偏置时，耗尽层变窄，有大的扩散电流流过；而当反向偏置时，耗尽层变宽，只有很小的漂移电流流过，这就是PN结的单向导电性。 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术基础 电压控制： 电流控制：I = ? I1或 本征半导体、杂质半导体 本章中的有关概念 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质 武汉大学 电气工程学院YTZ PN结、势垒区、单向导电 齐纳击穿、雪崩击穿 模拟电子技术基础 扩散运动、漂移运动 增强型、耗尽型 开启电压、夹断电压 伏安特性、转移特性 ? 小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，uCE、iB等。 ? 大写字母、大写下标表示直流量。如，UCE、IC等。 ? 小写字母、小写下标表示纯交流量。如，