半导体集成电路章分析报告.pptVIP

半导体集成电路 南京理工大学电光学院 第八章 现代半导体存储器 半导体存储器的定义和分类 存储器的结构 各种存储器 掩膜编程只读存储器 可编程只读存储器 可擦除可编程ROM(EPROM) 电可擦除可编程ROM(E2PROM) 闪速存储器(Flash Memory) 静态随机存取存储器(SRAM) 动态随机存取存储器(DRAM) 半导体存储器的分类 从实现工艺上，可分为双极型（现在几乎已不用）和MOS型两大类 从存储单元的基本性质，可分为挥发性与非挥发性（也称易失性与非易失性） 挥发性：断电后写入的信息就会丢失 非挥发性：断电后写入的信息不丢失 更详细的分类 非挥发性存储器 只读存储器（ROM）：掩膜ROM、PROM 可读可写存储器（RWM）：EPROM, E2PROM, Flash Memory 挥发性存储器 随机存取(RAM)：静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM) 非随机存取：先进先出(First Input First Output, FIFO)、后进先出(Last Input First Output)、移位存储器、关联存储器 存储容量：存储单元的总数。 存储器的构成： 1.存储阵列 2.地址译码器（行和列地址译码器） 3.读写电路 1D Memory 结构 2D Memory结构 3D Memory 结构 只读存储器ROM(Read Only Memory) 2.MOS OR ROM 3.MOS NOR ROM 存储单元的编程方法 MOS NOR ROM Layout 1 MOS NOR ROM Layout 2 4.MOS NAND ROM MOS NAND ROM Layout1 NAND ROM Layout2 普通OR、NOR、NAND结构缺点 静态功耗大，当输出为低（NOR、NAND）或高（OR）时，存在一个从VDD到GND的静态电流通路。 5.预充式NOR ROM 非挥发性存储器 浮栅晶体管的编程过程 A “Programmable-Threshold” Transistor EPROM和擦除设备 2.EEPROM (电可擦除可编程只读存储器) EEPROM的擦除过程 EEPROM的编程过程 EEPROM Cell 3.Flash EEPROM Cross-sections of NVM cells Basic Operations in a NOR Flash Memory―Write Basic Operations in a NOR Flash Memory―Read Basic Operations in a NOR Flash Memory―Erase Characteristics of State-of-the-art NVM 随机存取存储器 (RAM) 1. SRAM CMOS SRAM Analysis (Read) CMOS SRAM Analysis (Write) 6T-SRAM — Layout Resistance-load SRAM Cell SRAM Characteristics 2. DRAM 3T-DRAM — Layout 1-T DRAM Cell 存储器外围电路 地址译码器 SRAM灵敏放大器 时序和控制电路 地址译码器 (1).行译码器 行译码器的任务是从存储阵列诸多行中选中所需的行 (2)差分灵敏放大器（用于SRAM） Floating gate Source Substrate p Gate Drain n + n + FLOTOX I-V characteristic 20 – 30 nm -10 V 10 V I V GD 氧化层厚度10 nm Floating Gate Tunneling Oxide, FLOTOX 10V 0V 隧道击穿机理 电子注入浮动栅极 移去电压后 电荷仍被捕获 5V 5V 形成了较高的 阈值电压 EEPROM 与EPROM相反，电子注入浮栅的过程称“擦除过程”，从浮栅抽取电子的过程叫“编程（写入）过程”。 0V 10V 隧道击穿机理 电子注出浮动栅极 抽除后称为编程状态 过抽除形成 耗尽型晶体管 0V 10V 问题：标准字线无法关断晶体管 B2读出错误！！ WL BL V DD ? 2 transistor cell 未编程晶体管阈值大于VDD, 相当于开路 被编程晶体管处于常通状态 WL 控制栅2 浮栅1 VDD e- e- N+ N+ N+ 选择晶体管 BL Gnd FN隧道效应 P－sub 特点： 1.可按位（字节）擦除； 2.每个单元需要2个晶体管，位密度低，价格比EPROM高。 Control gate erasure p- substrat