纳米尺度的电磁现象.解读.ppt

低居里温度 　　　居里温度是物质磁性的重要参数，通常与交换积分Jc成正比，并与原子构型和间距有关。对于薄膜，理论与实验研究表明，随着铁磁薄膜厚度的减小，居里温度下降。对于纳米微粒，由于小尺寸效应和表面效应而导致纳米粒子的本征和 内禀的磁性变化，因此具有较低的居里温度。 　　　例如 85nm粒径的 Ni 微粒，由于磁化率在居里温度呈现明显的峰值，因此通过测量低磁场下磁化率与温度关系可得到居里温度略低于常规块体Ni的居里温度。 　　　超顺磁性颗粒的居里温度，随粒径的下降有所下降。 高磁化率 　　　纳米微粒的磁性与它所含的总电子数的奇偶性密切相关，每个微粒的电子可以看成一个体系，电子数的宇称可为奇或偶。一价金属的微粉，一半粒子的宇称为奇，另一半为偶，两价金属的粒子的宇称为偶，电子数为奇或偶数的粒子磁性有不同温度特点。 　　　电子数为奇数的粒子集合体的磁化率服从居里一外斯定律，c=C/(T-Tc), 量子尺寸效应使磁化率遵从ｄ-3规律; 　　　电子数为偶数的系统, c∝kBT, 并遵从ｄ２规律。 　　　纳米磁性金属的工值是常规金属的20倍。 纳米多层中的巨磁电阻效应 1986年德国科学家Grunberg小组有一重要的发现，就是在Fe/Cr/Fe三层膜中观察到两个铁层之间通过铬层产生耦合。 1988年法国科学家Fert小组在[Fe/Cr]周期性多层膜中，观察 到当施加外磁场时，其电阻下降，变化率高达50％。因此称之为巨磁电阻效应(giant? magnetoresistance, GMR)。 1995年，人们以绝缘层Al2O3代替导体Cr，观察到很大的隧道磁电阻(TMR)现象。??????? 基于GMR和TMR的发现，一个新的学科分支——磁电子学的概念被提出了。? 从那时起，科技人员一直坚持不懈地努力，将上述创新性发现转化为信息技术(IT)产业化。 1999年以GMR多层膜为磁头的硬盘驱动器(HDD) 进入市场，其存储密度达到11Gbits/in2，而1990年仅为0.1Gbits/in2，10年中提高了100倍。 ??? 目前GMR的研究开发工作正方兴未艾，而将上述隧道磁电阻(TMR)多层膜应用于新型随机存储器 (MRAM)的研究又已经展开。? ????????在Fe/Cr/Fe系统中，相邻铁层间存在着耦合，它随铬层厚度的增加而呈正负交替的振荡衰 减形式。使得相邻铁层磁矩从彼此反平行取向到平行取向交替变化。外磁场也可使多层膜中铁 磁层的反平行磁化状态发生变化。当通以电流时，这种磁化状态的变化就以电阻变化的形式反 映出来。这就是GMR现象的物理机制。 以Cr中电子为中介的铁层间的耦合，随着Cr层厚度增加而振荡衰减。其平均作用范围为1~3nm，这是对Cr层厚度的一个限制。在金属中，特别是在磁性金属中，电子平均自由程(10~20nm)和自旋扩散长度(30~60nm)很短。这是对多层膜各个亚层厚度的又一限制。 ??????? 基于上述原因，可以说GMR和TMR现象的研究完全取决于纳米材料科学的进步。任何创新或 转化都以此为基础。但是，纳米尺度是如此之微小，这给多层膜的制备和微结构表征带来了挑 战。 1999年10月，国际核心学术刊物Journal of Magnetic Material an Magnetism出满了 200卷。时值世纪之交，本卷就成了纪念专刊，冠名为“2000年之后的磁学”。美国知名学者Schuller发表一篇总结性评述，列出现存的20多种GMR金属多层膜(即具有GMR和振荡的交换耦合)。 纳米磁性材料 磁性是物质的基本属性，磁性材料是古老而用途十分广泛的功能材料，纳米磁性材料是20世纪70年代后逐步产生、发展、壮大而成为最富有生命力与宽广应用前景的新型磁性材料。美国政府今年大幅度追加纳米科技研究经费，其原因之一是磁电于器件巨大的市场与高科技所带来的高利润，其中巨磁电阻效应高密度读出磁头的市场估计为10亿美元，目前己进入大规模的工业生产，磁随机存储器的市场估计为1千亿美元。磁电子传感器件的应用市场亦十分宽广。　　 纳米磁极 6极 4极 8极 纳米磁性材料分类 2．纳米微晶型 　 * 纳米微晶永磁材料 * 纳米微晶软磁材料 3．纳米结构型　 * 人工纳米结构材料　 　 薄膜，颗粒膜， 多层膜，隧道结 　 * 天然纳米结构材料　　 钙钛矿型化合物 1．纳米颗粒型　 * 磁记录介质 * 磁性液体