第一讲绪论半导体基础知识技术方案.pptVIP

2. P型半导体 硼（B） 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强， 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？ 三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。 扩散运动 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场，不利于扩散运动的继续进行。 PN结的形成 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。 PN结的单向导电性 * 　　 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　 综上所述： 可见， PN 结具有单向导电性。 * 四、PN结的伏安特性 　　i = f (u )之间的关系曲线。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 i/ mA u / V 正向特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为 * 五、PN结的电容效应 　　当PN结上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 电容效应包括两部分 势垒电容 扩散电容 1. 势垒电容Cb 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间 电荷区 P R I + - U V * 　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示： 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 u 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 O u Cb * 2. 扩散电容 Cd ? Q 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 在某个正向电压下，P 区中的少子浓度np分布曲线如图中曲线 1 所示。 x = 0 处为 P 与 耗尽层的交界处 当电压加大，np 会升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 O x nP Q 1 2 ? Q 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 ? Q 　　正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 P N PN 结 * 综上所述： PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。 Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法 ~ 几十皮法， 有些结面积大的二极管可达几百皮法。 当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj ? Cb。 一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为 Cj ? Cd； 在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。 * 本节课的教学目的： 1、使学生初步了解本课程的内容、目的、特点、学习方法和考查方法； 2、特别提醒学生在课程中培养自己系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和创新意识。 在今后课程进行的过程中应不断加深对上述问题的理解。 * 课程学习完毕应不惧怕新发展，自信有研究新发展的基础和能力。 * 模拟电子技术基础 * 0 绪论 一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、“模拟电子技术基础”课程的特点 四、如何学习这门课程 五、课程的目的 六、考查方法 * 一、电子技术的发展 很大程度上反映在元器件的发展上 : 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 第