二维纳米材料的制备解析：.pptVIP

纳米薄膜的制备 薄膜的生长原理 概要 纳米薄膜材料的介绍 薄膜生长的基本原理 薄膜生长过程 1、岛状生长(Volmer-Weber)模式 ： 在Ag原子到达衬底表面的最初阶段，Ag在衬底上先是形成了一些均匀、细小而且可以运动的原子团－“岛”。这些像液珠一样的小岛不断地接受新的沉积原子，并与其他的小岛合并而逐渐长大，而岛的数目则很快地达到饱和。在小岛合并过程进行的同时，空出来的衬底表面上又会形成新的小岛。这一小岛形成与合并的过程不断进行，直到孤立的小岛之间相互连接成片，最后只留下一些孤立的孔洞和沟道，后者不断被后沉积来的原子所填充。在空洞被填充的同时，形成了结构上连续的薄膜。 2、层状生长（Frank-van der Merwe)模式： 3、层状-岛状(Stranski-Krastanov)生长模式。 2、薄膜生长阶段 　　　一旦大于临界核心尺寸的小岛形成，它接受新的原子而逐渐长大，而岛的数目则很快达到饱和。小岛像液珠一样互相合并而扩大，而空出的衬底表面上又形成了新的岛。形成与合并的过程不断进行，直到孤立的小岛之间相互连接成片，一些孤立的孔洞也逐渐被后沉积的原子所填充，最后形成薄膜。 核心形状的稳定性要求界面能之间满足： ? sv = ? fs + ? vf cos θ 成核自由能变化随新相核心半径的变化关系-类似自发成核，形成临界核心的临界自由能变化ΔG* 实际上就相当于成核的势垒；热激活过程提供的能量起伏将使的一些原子具备了ΔG* 大小，导致新核的形成。 在薄膜沉积的情况下，核心常出现在衬底的某个局部位置上，如晶体缺陷、原子层形成的台阶、杂质原子处等。这些地点或可以降低薄膜与衬底间的界面能，或可以降低使原子发生键合时所需的激活能。因此，薄膜形核的过程在很大程度上取决于衬底表面能够提供的形核位置的特性和数量。 薄膜沉积速率R和衬底温度T是影响薄膜沉积过程的最重要的两个因素。 随着沉积速率R的提高，薄膜临界核心半径和临界核心自由能均随之降低，新相核心的形成较容易；高的沉积速率将会导致高的成核速率。 随着沉积温度T的上升，新相临界核心半径和临界核心自由能均升高，新相核心的形成较困难；因此高温时，首先形成粗大的岛状薄膜组织。 低温沉积和高速沉积有利于形成晶粒细小而连续的薄膜组织，往往导致多晶态甚至非晶态的薄膜。 要想得到粗大甚至是单晶结构的薄膜，一个必要的条件是适当地提高沉积温度，并降低沉积的速率。 连续薄膜的形成 连续薄膜的形成 总结 薄膜的简介 薄膜的生长模式（岛状，层状，混合） 生长的物理过程 （形核+长大） 形核的热力学原理（匀相 vs. 非匀相） 衬底温度与层积速度对形核的影响 连续薄膜的形成机理 （Ostwald 吞并，熔接，原子团迁移） 衬底温度和沉积速度对形核的影响 薄膜生长的基本原理 总结： 形核初期形成的孤立核心将随着时间的推移而逐渐长大，这一过程除了涉及吸纳单个的气相原子和表面吸附原子之外，还涉及核心之间的相互吞并和联合的过程。 薄膜生长的基本原理 三种核心相互吞并的机制: Ostwald 吞并 原子团迁移 原子团熔接 奥斯瓦尔多(Ostwald)吞并过程：设想在形核过程中已经形成了各种不同大小的许多核心。随着时间的推移，较大的核心依靠消耗吸收较小的核心获得长大，其驱动力来自岛状结构的薄膜试图降低自生表面自由能的趋势。(曲率半径r越小，表面蒸汽压越大，溶解度越大） 熔接过程：在极短的时间内，两个相邻的核心之间形成了直接接触，并很快完成了相互吞并过程。表面自由能的降低趋势仍是整个过程的驱动力。原子的表面扩散较体内扩散机制对熔结过程的贡献大； 原子团迁移：在衬底上的原子团还具有相当的活动能力，这些岛的迁移是形成连续薄膜的第三种机理。原子团迁移是由热激活驱动的；激活能与原子团半径r有关，r越小激活能越低，原子团迁移越容易。 要明显区分上述各种原子团的合并机制在薄膜形成过程中的相对重要性比较困难。 通常，在上述机制共同作用下，原子团之间相互发生合并过程，并逐渐形成了连续的薄膜结构。 薄膜生长的基本原理 400℃下不同时间MoS2衬底上Au核心相互吞并过程的透射电子显微镜照片 (a) t=0, (b) t=0.06s, (c) t=0.18s, (d) t=0.50s, (e) t=1.06s, (f) t=6.18s 连续薄膜的形成 薄膜生长的基本原理 * 纳米材料与结构的表征 Nov 6, 4:25pm 16 刻蚀法制备纳米结构（自上而下） Oct 30, 4:25pm 15 三维纳米材料与特殊纳米材料的制备（多孔，复合，核壳结构，等等） Oct 24, 2:30pm 14 纳米颗粒的制备 （液相法） Oct 23, 4:25pm 13 纳米颗粒的制备 （液