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练习题1（二极管的单向导电性） 一、判断题： 1、晶体二极管加一定的正向电压时导通。（ ） 2、晶体二极管加一定的反向电压时导通。（ ） 3、晶体二极管具有单向导电性。（ ） 二、选择题： 1、如果二极管的阳极电位为1.5V，阴极的电位为0.8V，二极管将会（ ）。 A导通 B截止 C烧坏二极管 D无法确定 2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（ ）。 A正偏 B反偏 C零偏 D无法确定 3、半导体二极管加正向电压时，（） A、电流大电阻小B、电流大电阻大C电流小电阻小??????D、电流小电阻大? 三、如右图所示，哪个灯亮？为什么？ 练习题2（PN结） 一、判断题： 1、当晶体二极管的PN结导通时，参加导电的是多数载流子。（ ） 2、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。（ ） 3、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。（ ） 4、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。（ ） 5、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。（ ） 6、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。（ ） 7、在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（ ） 二、选择题： 1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（ ）。 A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体 D无法确定 2、（ ）又称为空穴型半导体。 A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体 D无法确定 3、（ ）又称为电子型半导体。 A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体 D无法确定 4、（ ）内部空穴数量多于自由电子数量。 A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体 D无法确定 5、（ ）内部自由电子是多数载流子。 A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体 D无法确定 练习3（二极管的伏安特性） 一、判断题： 1、二极管两端只要加正向电压就一定导通。（ ） 2、晶体二极管的正向电压小于门坎电压时，二极管呈现电阻很大仍处于截止状态。（ ） 3、晶体二极管的反向电压增加到某一数值时，反向电流会突然急剧增大，这种现象称为反向电击穿。（ ） 4、晶体二极管击穿后立即烧毁。（ ） 5、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。（ ） 二、填空题： 1、硅管的截止电压为 ，锗管的截止电压为 。硅管的导通电压为 ，锗管的导通电压是 。 三、选择题： 1、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的区，而且所受的正向电压小于其门槛电压时，二极管相当于（ ） A小阻值电阻 B断开的开关 C闭合的开关 D不确定 2、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（ ）。 A减小 B增大 C不变 D不确定 3、当硅晶体二极管加上0.4V的正向电压时，该晶体二极管相当于（ ） A小阻值电阻 B断开的开关 C闭合的开关 D被烧毁 4、如果把二极管的阳极接到1.5V电源的正极，把阴极接到电源的负极，将会（ ）。 A导通 B截止 C烧坏二极管 D无法确定 5、二极管导通时其两端所加的是（ ）电压。 A正向 B反向 C击穿 D门坎 6、当二极管两端正向电压大于（ ）电压时，二极管才能导能。 A门坎 B截止 C死区 D导通 7、二极管两端的反向电压增大时，在达到（ ）电压之前，通过的电流很小。 A门坎 B导通 C最大 D击穿 8、二极管两端的正向电压小于（ ）电压时，二极管仍然处于截止状态。 A门坎 B导通 C最大 D击穿 9、二极管两的反向电压小于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（ ）电流。 A反向饱和 B反向击穿 C导通 D死区 10、二极管两的反向电压大于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（ ）电流。 A反向饱和 B反向击穿 C导通 D死区 练习题4（二极管的测试） 一、判断题： 1、万用表的红表笔接内电源的正极。（ ） 二、选择题： 1、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（ ）挡。 A R×100Ω或R×1kΩ B R×10Ω C R×10kΩ D R×1Ω 2、测试一个正常的二极管，将万用表的红黑表笔分别接二极管的两端，若测得电阻很小，则（ ）表笔所接的是二极管正极。 A红 B黑 C不确定 3、用万用表测试二极管时，若两次测得的都很小表明（ ） A二极管正常 B二极管内部短路 C二极管内部断