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* （1） 输出特性曲线 4. 特性曲线（以增强型NMOS管为例） 输出特性曲线主要分三区：截止区 放大区 可变电阻区 截止区： 对应夹断状态 特点：uGS ? UGS (th) iD=0 1.5.1 绝缘栅场效应管（IGFET） * （1） 输出特性曲线 4. 特性曲线（以增强型NMOS管为例） 输出特性曲线主要分三区：截止区 放大区 可变电阻区 放大区： 对应管子预夹断后的状态 特点：受控放大 uGS ?则 iD ? 1.5.1 绝缘栅场效应管（IGFET） * （1） 输出特性曲线 4. 特性曲线（以增强型NMOS管为例） 输出特性曲线主要分三区：截止区 放大区 可变电阻区 可变电阻区： 对应预夹断前状态 特点： 固定uGS，uDS?则iD近似线性? -----电阻特性 固定uDS，uGS变化则阻值变化 -----变阻特性 1.5.1 绝缘栅场效应管（IGFET） * 预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程 条件 （2） 转移特性曲线 4.特性曲线（以增强型NMOS管为例） 1.5.1 绝缘栅场效应管（IGFET） * uBS ?0且uBS 0时iD 受控于uBS 的特性 衬调效应又称：背栅效应 体效应 5. 衬调效应（以增强型NMOS管为例） 1.5.1 绝缘栅场效应管（IGFET） * 耗尽型NMOS管 6. 其它绝缘栅场效应管 uGS ，uDS 电压极性及iD电流流向与NMOS管相反 FET管特性汇总表(p44表1-2) PMOS管: 导电载流子为空穴 1.5.1 绝缘栅场效应管（IGFET） 7、MOSFET分区等效电路及其在电路图中的表示法 * 判断是否导通 判断是否放大 方法： 夹断与否？ uGS 预夹断前后？ uGD 例示： 例1-6(d)： 解： 耗尽型PMOS ?夹断 截止区 思考？ Ug=0V时？ 图(b) ？ 1.5.3 场效应管工作状态分析 * 1．结构不同 1.5.4 IGFET和JFET比较 2．工作原理不同 3．输入电阻大小不同 * 饱和漏极电流IDSS : uGS=0时的iD 值 夹断电压UGS(off) : iD ?0时的uGS值 开启电压UGS(th) : 增强型管刚开始导电时的uGS值 直流输入电阻RGS: RGS = UGS / IG 耗尽管参数 增强管参数 1.5.5 场效应管的参数及特点 1. 参数 （1）直流参数: * （2）交流参数: 增强型 耗尽型 定义： 跨导 gm 计算： 1.5.5 场效应管的参数及特点 * 背栅跨导 gmb 定义： 计算： （2）交流参数: 输出电阻 rds 定 义： 物理意义：表示uDS对iD的控制能力 几何意义：表示输出特性曲线上工作点处切线斜率的倒数 极间电容：Cgs Cgd Cds ( Cbs Cbd Cbg ) 1.5.5 场效应管的参数及特点 * 在特定工作电流电压下，管子参数的温度系数可以为零 栅源击穿电压 UBR(GS) 漏源击穿电压 UBR(DS) 最大功耗 PDM : 1.参数 （3）极限参数: （4）参数的温度特性： 1.5.5 场效应管的参数及特点 * 导电方式 载流子 运动方式 控制方式 输入电阻 漂移 扩散 漂移 压控 流控 高 低 多子 单极型 多子少子 双极型 FET BJT 2.特点 1.5.5 场效应管的参数及特点 * FET BJT 噪声 小 大 抗辐射力 强 弱 热稳定性 好 差 2. 特点 1.5.5 场效应管的参数及特点 * * * 三极管四种状态 集电结 运用状态 发射结 正向运用 反向运用 正向运用 饱和状态 放大状态 反向运用 反向放大状态 截止状态 1.4.2 晶体三极管的工作状态 * 1.4.3 晶体三极管的放大原理 1. 载流子传输过程（以NPN管为例） * 发射区向基区注入电子( IEn ) ： 发射极电流IE ? IEn 注入电子在基区边扩散边复合( IBn ) ： 是基极电流IB 的一部分