新能源材料第8讲.pptVIP

8.太阳电池材料概述 8.1 太阳电池与材料 8.2 太阳电池的工作原理 8.3 太阳电池大规模应用的有关问题 8.4 太阳电池发展与现状 8.5 进入21世纪太阳电池的发展规划 8.1太阳电池与材料 8.2 太阳电池的工作原理 如前所述，太阳电池发电是基于太阳光与半导体材料的作用而形成光伏效应。为了探讨其工作原理，先简单介绍太阳能的特征、半导体材料的本性及光伏效应的规律。 8.2.1 太阳能 太阳是一座聚合核反应器，发射功率为3.8×1026W，中心温度估计为107K。对一个具体的位置而言，太阳对地表的辐射取决于以下几点： 地球相对太阳的运动的影响； 大气层对太阳辐射的影响； 大气质量数； 日照的地理分布。 8.2.2 半导体材料的主要性质 8.2.2.1 固体的能带结构 原子和原子结合形成晶体时，由于原子间的相互作用，使原来原子的各自分散能级形成能带。能带为彼此能量相差很小的准连续组。由于能带的结构不同，形成了金属，半导体和绝缘体。下图是铜与金刚石的能带结构。 根据上述原理可将金属、半导体和绝缘体的能带结构用示意图表示如下： 能带结构是由物质组成决定的，半导体中的禁带除大小不同以外还分为直接禁带和间接禁带。 8.2.2.2 载流子的产生和复合 半导体中的载流子有两种：带负电荷的电子和带正电荷的空穴。 按对载流子的贡献机理，半导体可分为本征半导体和非本征半导体。 本征半导体是指再材料纯度较高的条件下，在一定温度范围内，材料中的载流子主要来自热激发，到达导带的是电子，这时价带中就少一个电子，于是成为了空穴。这样电子浓度和空穴浓度相等，即 n＝p＝ni 式中：n为电子浓度；p为空穴浓度；ni为本征激发电子浓度。 ni2＝np＝Be－ER/kT 式中：k是波尔兹曼常数；T是绝对温度；B为常数。 非本征半导体是指载流子一般靠杂质提供。如果杂质提供的载流子浓度明显高于本征载流子浓度，那么半导体的导电行为就被杂质载流子所控制，称为杂质半导体。 在浓度不甚高的而掺入的杂质又为浅能级杂质时，杂质全部电离。假设掺入的是施主杂质，则认为 n＝ND 式中：ND为施主杂质的原子浓度。 NDp＝ni2 式中：p值为 p＝ni2/ND 平衡载流子：由本征激发或由杂质电离所形成的载流子在既定温度下处于平衡状态。 非平衡载流子：由辐射、电注入等形成的载流子。 四种复合机理： 直接复合 通过复合中心复合 俄歇复合 表面复合 8.2.2.3 pn结 两种不同导电类型的材料结合时，在其交界处形成pn结，如下所示： 8.2.3 半导体与光伏效应 1）光与半导体的相互作用 当光射到半导体时，一部分被反射，一部分被吸收，其余部分则通过，即 A+R+T=1 式中：A为吸收率；B为反射率；T为透射率。 当一束光强为I0的光垂直入射在半导体表面时，半导体内离入射表面x处的光强Ix按吸收定律就应为 Ix＝I0（1－R）e－ax 式中：a为与波长相关的吸收系数。 当半导体的厚度为d时，透过率可近似表达为 T=I2/I0=(1-R)2e－ad 式中：I2为透过光的强度 半导体对光的吸收取决于半导体的禁带宽度及能带结构。直接禁带材料的吸收边为 hν0＝hc/λ0＝ER，λ0＝1.24/ER 式中：h为布朗克常数； ν0为吸收边的频率；c为光速； λ0＝为吸收边的波长。 当光子于间接禁带半导体相作用时，形成一个电子－空穴对就必需吸收或放出一个声子，其吸收边为 hν0＝ER－EP 式中：EP为声子能量 从图可以看出，间接禁带材料，如Si的吸收系数变化缓慢，而一些直接禁带材料的变化则很陡。 由于2种半导体材料的光吸收机制不同，吸收必需的太阳能所需的厚度亦不相同如下图所示： 2）光伏效应与太阳能电池 光伏效应：光与半导体的相互作用可以产生光生载流子，当将所产生的电子－空穴对靠半导体内形成的势垒分开到两极时两极间就会产生电势，称此为光生伏打效应，简称光伏效应。因此太阳电池又称光伏（PV）器件。 为了方便，以PN结势垒来论述光伏效应，因为它是最常用的一种。 太阳能电池可处于4种状态