1半导体二极管及基本电路资料.pptVIP

第一章 半导体二极管及基本电路 1.1 半导体的基本知识 2、 P 型半导体 1.2 PN结及单向导电性 一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 2、PN 结加反向电压（反向偏置） 1.3 半导体二极管及伏安特性 一、基本结构、符号 二极管的种类 二、伏安特性 2. 若输入电压的有效值为5mV，则上述各种情况下二极管中 的交流电流各为多少？ 二、稳压二极管小结 (1) V＝2V，ID≈2.6mA (2) V＝5V，ID≈ 8.6mA (3) V＝10V，ID≈ 50mA 在伏安特性上，Q点越高，二极管的动态电阻越小！ 2. 符号 3. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 为使IZ＜IZM，使用时必须要加限流电阻 原理：稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 1. 结构 由一个PN结组成的特殊二极管 DZ 一、稳压二极管 1.6 特殊二极管 进入稳压区 的最小电流 不至于损坏的最大电流 6、主要参数 稳定电压UZ 稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 正向导通区 反向截止区 稳压工作区 5、三个工作区 4、等效电路： 1. 伏安特性 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 2. 主要参数 稳定电压UZ、稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！ 限流电阻 斜率？ * 模拟电子技术基础 第一章 半导体二极管及基本电路 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结的形成及特性 1.3 二极管及伏安特性 1.5 二极管基本电路及分析方法 1.6 特殊二极管 1.4 二极管的等效模型 一、本征半导体 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、半导体 导电物质可分为： 导体：金属 绝缘体：惰性气体、橡皮、瓷等 半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等 半导体的导电特性： 1、半导体导电能力受环境影响很大 （1）受温度： 当温度改变时，其导电能力改变 热敏元件 （2）受光照： 当光照强度改变时，其导电能力改变 光敏元件 2、半导体中掺入杂质，其导电能力大大增强 2、本征半导体（纯半导体） Si：14个电子 2）8）4 Ge：32个电子 2）8）18）4 4价元素 价电子数可决定物质化学性质 （1） （2）晶体结构 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si Si Si Si Si 自由电子 空穴 本征激发产生成对的自由电子和空穴 （3）本征半导体的导电机理 温度愈高或光照越强，晶体中产生的成对的自由电子和空穴便愈多。 自由电子和空穴形成两种载流子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 二、N型半导体和 P 型半导体（杂质半导体） 多余电子 磷原子 在本征半导体中掺入微量的5价元素 ，形成N型半导体。 Si Si Si Si p+ 在常温下即可变为自由电子 1、N型半导体 多数载流子：自由电子 少数载流子：空穴 动画 Si Si Si Si B– 硼原子 空穴 注意：无论N型或P型半导体都是中性的（其正负电荷数相等），对外不显电性、不带电。 在本征半导体中掺入微量的3价元素 ，形成P型半导体。 多数载流子：空穴 少数载流子：自由电子 动画 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N