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第2章 电阻式传感器 第2章 电阻式传感器 2.1.1导电材料的应变电阻效应 电阻应变片的工作原理是基于应变效应,即导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时,其电阻值发生变化, 这种现象称为“应变效应”。 如图2 - 1所示,一根长为 ,截面积为S的金属电阻丝,在其未受力时,原始电阻值为: 式中dl/l = ε——材料的轴向线应变,常用单位με(1με=1×10-6mm/mm); dS/S——圆形电阻丝的截面积相对变化量,设r为电阻丝的半径,微分后可得dS=2πr dr,则 : 其中? r——导体的半径,受拉时r缩小; μ——导体材料的泊松比。 可得: 通常把单位应变引起的电阻值变化称为电阻丝的灵敏系数。 物理意义是单位应变所引起的电阻相对变化量,其表达式为 : 灵敏系数k0 受两个因素影响:材料几何尺寸的变化,即1+2μ;材料电阻率的变化,即(dρ/ρ)/ε。 实验证明在电阻丝拉伸极限内电阻的相对变化与应变成正比,即k0为常数。 1.金属材料的应变电阻效应 金属材料灵敏度系数 1+2μ的值要比(dρ/ρ)/ε大得多,因此金属丝材的应变电阻效应以结构尺寸变化为主。金属材料的电阻相对变化与其线应变成正比。这就是金属材料的应变电阻效应。对金属或合金, k0 =1.8~4.8。 2.半导体材料的压阻效应 半导体材料的(dρ/ρ)/ε项的值比1+2μ大得多。 2.半导体材料的压阻效应 压阻效应是指半导体材料,当某一轴向受外力作用时, 其电阻率ρ发生变化的现象。 式中:π——半导体材料的压阻系数;σ——半导体材料的所受应变力; E——半导体材料的弹性模量;ε——半导体材料的应变。 第2章 电阻式传感器 2.半导体材料的压阻效应 则: 由于πE(1+2μ),因此半导体丝材的Ks≈πE。可见,半导体材料的应变电阻效应主要基于压阻效应。通常Ks=(50~80)Km。 2.1.2 电阻应变片的结构与类型 结构: 图2.2 典型应变计的结构及组成 (a)丝式 (b)箔式 (c)半导体 1—敏感栅 2—基底 3—引线 4—盖层 5—粘结剂 6—电极 结构: (1)敏感栅——实现应变-电阻转换的敏感元件。 通常由直径为0.015~0.05mm的金属丝绕成栅状,或用金属箔腐蚀成栅状。 (2)基底——为保持敏感栅固定的形状、尺寸和位置,通常用粘结剂将其固结在纸质或胶质的基底上。基底必须很薄,一般为0.02~0.04mm。 (3)引线——起着敏感栅与测量电路之间的过渡连接和引导作用。通常取直径约0.1~0.15mm的低阻镀锡铜线,并用钎焊与敏感栅端连接。 电阻应变片的结构与类型 (4)盖层——用纸、胶作成覆盖在敏感栅上的保护层;起着防潮、防蚀、防损等作用。 (5)粘结剂——制造应变计时,用它分别把盖层和敏感栅固结于基底;使用应变计时,用它把应变计基底粘贴在试件表面的被测部位。因此它也起着传递应变的作用。 电阻应变计的结构与类型 类型1. 金属丝式应变片 图2.2 典型应变计的结构及组成 (a)丝式 (b)箔式 (c)半导体 1—敏感栅 2—基底 3—引线 4—盖层 5—粘结剂 6—电极 有回线式和短接式二种。回线式最为常用,制作简单,性能稳定,成本低,易粘贴,但横向效应较大。 电阻应变计的结构与类型 类型2. 金属箔式应变片 利用照相制版或光刻技术将厚约0.003~0.01mm的金属箔片制成所需图形的敏感栅,也称为应变花。 类型3. 半导体应变片 由单晶半导体经切型、切条、光刻腐蚀成形,然后粘贴在薄的绝缘基片,最后再加上保护层。 但重复性、温度及时间稳定性差。 2.1.3 电阻应变片的应用 1、应变片的选用 (1)选择类型——使用目的、要求、对象、环境等 (2)材料考虑——使用温度、时间、最大应变量及精度 (3)阻值选择——根据测量电路和仪器选定标称电阻 (4)尺寸考虑——试件表面、应力分布、粘贴面积 (5)其他考虑——特殊用途、恶劣环境、高精度 电阻应变片的应用 2、应变片的使用 (1)粘结剂的选择 通常在室温工作的应变片多采用常温、指压固化条件的粘结剂如聚脂树脂、环氧树脂类。 (2)应变计的粘贴 ①准备——试件和应变片;②涂胶;③贴片;④复查;⑤接线;⑥防护。 应变片多为一次性使用,应变片的特性是按规定的条件,从大批量生产中按比例抽样实测得到。 静态特性
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