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《模拟电子技术基础》期中测试题 一、填空题：（40分） １．在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体，加入五价元素可形成 n 型半导体。 2.当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层变 zai ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层变宽 。 3.二极管最主要的特性是 单向导电 。在常温下，硅二极管的开启电压约 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V；锗二极管的开启电压约 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V。 4.为保证三极管处于放大状态，其发射结必须加正向 偏置电压，集电结必须加 反向 偏置电压。 5．场效应管是一种 亚 控器件，它利用 善缘电压 控制漏极电流iD。 6.NPN型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真，它属于 饱和 失真，消除该失真要 增大 Rb的阻值。 7.某三极管的极限参数PCM＝150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V,若它的工作电压UCE＝10V,则工作电流IC不得超过 mA；若工作电压UCE=1V，则工作电流不得超过 mA；若工作电流IC＝1mA,则工作电压不得超过 V。 8.图1.8(a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为 型和 型，用半导体材料 和 制成，电流放大系数β分别为 和 。 图1.8 图1.9 9.根据图1.9中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为 饱和 、放大 、截止 。 10.三极管处于放大状态时，是工作在其特性曲线的放大区；场效应管工作在放大状态时，是工作在其特性曲线的恒流 区。 11．集成运放的内部电路是一种 耦合的多级放大电路，它的放大倍数非常高，但是各级静态工作点Q是相互 的。 12．互补对称输出电路容易产生交越失真，主要因为两个对称三极管特性有 电压，在 回路加偏置电压可消除该失真。 13．阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立 ，能够放大 高频信号。 14.为提高输入电阻，减小零点漂移，通用集成运放的输入级大多采用 电路；为了减小输出电阻，输出级大多采用 电路。 二、选择题：（20分） 1．广义地说，结型管应该是属于（a ） A.耗尽型 B.增强型 C. 两种都不是 2．测得放大电路中三极管的各极电位如图，则该三极管为c 。 A.NPN,硅管 B.PNP,硅管 C. NPN,锗管 D. PNP, 锗管 图2.3 图2.2 3.用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如图2.3，判断属于何种类型的失真（b ） A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.幅频失真 4．共集电极放大电路的放大倍数 ，而电流放大倍数 。（ c ） A.≤1,很小 B.≥1,很大 C. ≤1, 很大 5．稳压管稳压是利用它的 特性，所以必须给稳压管外加 电压。（ c ） A.单向导电，反向 B.反向击穿，正向 C.反向击穿，反向 D.单向导电，正向 6.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ b ） 温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 7.说晶体管具有放大电流的功能，是指它在电路中采用（ c ） 共射接法 B.共基接法 C.共集接法 D.任何接法 8.三极管的ICEO大，说明其（ d ） A.工作电流大 B.击穿电压高 C.寿命长 D.热稳定性差 9.两个参数对称的三极管组成差动电路，在双端输入和双端输出时，与单管电路相比其放大倍数 ，输出电阻 。（ ） A.大两倍，高两倍 B.相同，相同 C.相同，高两倍 10.KCMR越大，表明电路 。（ c ） A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.抑制零漂能力越强 D.输入信号中差模成分越大 三、简答题：（20分） 简述射极输出器的特点。 什么是差模信号、共模信号？差动放大电路对差模信号和共模信号是如何对待的？ 3.集成运放由哪些部分组成？并说明集成运放参数Aud和Auc的含义。 4.恒流