(补)存储器实验报告.docVIP

《计算机组成原理》实验报告 实验名称 实验4： 实验日期 2013年 月日 报告日期 2013年11月11日 专业 计算机科学与技术 班级 计 签名 学号 分工 看图、检查 权重 50% 成绩  掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。 TDN-CM+教学实验系统一套。 排线10条：8芯3条，2芯7条。 实验所用的半导体静态存储器电路原理如图4.4-1所示，实验中的静态存储器由一片6116（2K×8）构成，其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。地址灯AD0～AD7与地址线相连，显示地址线内容。数据开关经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。 图4.4-1存储器实验原理图 由于地址寄存器为8位，所以接入6116 的地址为A7～A0，而高三位A8～A10接地，因此其实际容量为256字节。6116有三个控制线：CE（片选线）、OE（读线）、WE（写线）。当片选有效（CE=0）时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作。本实验中将OE常接地，在此情况下，当CE=0、WE=0 时进行读操作，CE=0、WE=1时进行写操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。 实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中，其脉冲宽度可调，其它电平控制信号由“SWITCH UNIT