辐射度与光度量资料.pptVIP

一、概念题： 1、光电效应 2、光电发射第一定律 3、光电发射第二定律 二、简答题： 1、外光电效应和内光电效应的区别是什么？ 2、用PN结简图表示出光生电压的极性和光生电流的方向。 三、计算题 1、某种光电材料的逸出功为1eV，试计算该材料的红限波长。（普朗克常数h＝6.626×10-34(J.s)，光速C＝2.998×108(m/s)，电子电量e＝1.6×10-19库仑） 2、一块半导体样品,有光照时电阻为50Ω，无光照时为5000Ω,求样品的光电导。 3、本征半导体材料Ge在297K下其禁带宽度Eg=0.67(eV)，现将其掺入杂质Hg，锗掺入汞后其成为电离能Ei=0.09(eV)的非本征半导体。试计算本征半导体Ge和非本征半导体锗汞所制成的光电导探测器的截止波长。 当没有外加电场时，电子作无规则运动，其平均定向速度为零。一定温度下半导体中电子和空穴的热运动是不能引起载流子净位移，从而也就没有电流。但漂移和扩散可使载流子产生净位移，从而形成电流。 载流子因浓度不均匀而发生的从浓度高的点向浓度低的点运动。 载流子在外电场作用下，电子向正电极方向运动，空穴向负电极方向运动称为漂移。 在强电场作用下，由于饱和或雪崩击穿半导体会偏离欧姆定律。在弱电场作用下，半导体中载流子漂移运动服从欧姆定律。 在N型半导体中，漂移所引起的