第三章电容元件介电参数测量分析报告.pptVIP

不同介质材料的击穿场强差别极大，因此，击穿场强表征了材料的固有特性。但由于击穿机理不同，材料在不同电压（交流、直流、脉冲）下击穿的情况也不一样，为此击穿试验也相应分为交流击穿、直流击穿、脉冲击穿等不同类型。 如同测量电介质材料的电阻率及介电特性一样，材料的击穿试验也与周围环境的情况关系很大。因此试验必须在严格规定的条件一下进行。 由上面四式，可得 (3-5-9) (3-5-10) (3-5-11) 故 由此可见，若以RNωC1C2/C3作为倍率，就可把△CB的值直接在表头上刻为损耗的读数。 ?双T电桥的优点是： (1)信号源与检测器有公共的连接点接地，因此可以不用隔离变压器； (2)两并联支路均有一端接地，四个并联元件的杂散阻抗与电源并联，不影响测量结果。 (3)因用替代法，结点对地电容也不影响测量结果。 (4)只用一层屏蔽，能用于高频（直到30MHz）。 电桥法的缺点： (1)频率增高时，杂散电磁场的影响也增大； (2)电路结构为多环路，引起误差的“源”增多； (3)平衡指示器灵敏度要求高，易受外界干扰。 测量频率在几兆以上时，电路的分布电容及元件剩余电 感、电阻会使一般电桥在测量介质的介电常数和损耗产生 很大的误差，此时必须改用谐振法测量。 谐振法原理电路为简单的LC回路，如图所示。 Cx C L 图3-17 谐振法原理图 试样电容Cx可以根据接上试样与不接试样谐振时可变电容的读数差来求得。 六、 谐振法 变电阻法：把试样等效为串联等值电容Cs和电阻Rs，原理如图所示，测量时使接与不接试样电路分别达到谐振时的指示仪表读数不变，记下电阻变化量△R，进而求出Rs。 图3-18 变电阻法原理图 试样等值电阻的常用求法：变阻法、变电导法、变Q值法、变电纳法及变频率法等。 Cs C L V Rs R Cx 变电导法：把试样看作并联等值电容与电导，如图所示。与变电阻法相似，根据二次谐振下可变电导G之差求出等值电导。 变电阻和变电导优点：线路简单 缺点：可变电阻的分布电容影响大，测量频率不高， 而且分辨率低，调节不易。 图3-19 变电导法原理图 C L V RP CP G Cx 变电纳法：根据谐振曲线的半功率点的宽度△C或△f与回路R之间的关系来求回路电阻。 变Q法：根据Q值的定义 C V U L R Uc 图3-20 变Q法测量原理图 如果Q值已知，即可求出线路电阻。 图3-21 变电纳法测量原理图 变电纳法与变Q法是目前测量介质高频损耗用的最多的方法，其优点是方便可靠。其中变电纳法的分辨率优于变Q法，因此更适合用于测量低损耗介质材料的tgδ值。 (1) 变Q法测量原理 调节可变电容C使回路谐振，此时电流达到最大值。 1. 变Q法原理及Q表的使用 U不变时，Q值与Ur成比例，由此Q值可以直接由电容两端的电压来刻度。当知道Q值，谐振频率及电容C时即可根据式（3-6-1）求得电阻。 C V U L R Ur 图3-22 变Q法测量原理图 电容两端的谐振电压 故 (3-6-1) (2) 利用Q表测量介质损耗角正切 如图所示为Q表测量原理图，L为谐振回路线圈；C为调谐电容；Q是以Q值刻度的用以指示电容两端电压的电子管电压表；G为高频信号源；V为高频电子管电压表，用来校准电源电压。Cp、Rp分别表示试样的并联等效电容与电阻。 根据变Q法制成Q表，用于测量介质损耗时手续简单，使用方便，可在较高频率时使用。但与变电纳法仪器比较，准确度和分辨率都要差一些，故只能用之于测量损耗较大的场合。 图3-23 Q表电路原理图 Q Cp Rp Ri Ri为保护电阻 测量时，首先接入试样，调C使电路谐振，测得C1、Q1，其等效电路如图3-24所示。 图中R为仪表内LC回路的有效电阻，利用等值转换将图3-24所示的电路转化为串联等效电路，如图3-25所示。 R Rp L C1+Cp 图3-24 并联等效电路 图3-25 串联等效电路 R L Rs’ Cs’ R L C2 图3-26不接试样的等效电路 测量时，首先接入试样，调C使电路谐振，测得C1、Q1，其等效电路如图3-24所示。 图中R为仪表内LC回路的有效电阻，利用等值转换将图3-24所示的电路转化为串联等效电路，如图3-25所示。 R Rp L C1+Cp 图3-24 并联等效电路 图3-25 串联等效电路 R L Rs’ Cs’ 图3-25中，CS’=C1+Cp (3-6-2) (3-6-3) 由变Q法原理，知 R L C2 图3-26 不