二极管-三极管资料.ppt

(1-*) 二. 微变等效电路 二极管的微变等效电路 rd是Q点附近微小变化区域内的动态电阻，即二极管工作在正向特性的某一小范围内时(如直流信号上叠加一个交流信号)，其正向特性可等效一个微变电阻。 特性曲线上静态（仅考虑直流信号)工作点Q(ID,UD) 附近存在电压与电流的微变 因此Q点处的动态电阻约为 (1-*) 1.2.5 稳压二极管 + - 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管（一种面接触型硅晶体二极管）稳压时工作在反向电击穿状态，外加的反向电压须大于稳压二极管的稳压电压。 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡(斜率越大)，电压越稳定。 UZ (1-*) （2）稳定电流IZ。 最大、最小稳定电流IZmax、IZmin。 （3）额定功耗 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ 在规定的稳压管反向工作电流下对应的反向工作电压。 （5）电压温度系数? 稳压值受温度变化影响的的系数。 （4）动态电阻 rZ越小（曲线越陡），稳压性能越好。 已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图中所示电路中UO1和UO2各为多少伏 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V； 右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。 解题思路：首先假设，接着通过分析由假设所得结果的合理性来验证假设是否成立。 稳压二极管的应用举例 由例题可知： 由于稳压管的反向电流小于IZmin时不稳压,大于IZmax时会因超过额定功耗而损坏，所以在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常工作，故称这个电阻为限流电阻。只有在R取值合适时，稳压管才能安全地工作在稳压状态。 (1-*) 一. 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段（红、黄、绿、橙）的光，它的电特性与一般二极管类似。 1.2.6 其它类型二极管 工作条件：正向偏置；正向电流越大，发光越强 一般工作电流几 mA， 导通电压 (1 ? 2) V u /V i /mA O 2 符号 (1-*) 二. 光电二极管 符号 工作原理：无光照（普通二极管）；有光照时，分布在第一（普通二极管）、三（恒流源）、四象限（微型光电池，u＝0处）。 若无光照射PN结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。 u 增加照度（勒克斯） i O E = 200 lx E = 400 lx 当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时反向电流称为光电流。 (1-*) 1.3.1 基本结构及类型 §1.3 半导体三极管（简称晶体管 ） 三极管结构示意图和符号　　NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 箭头的的方向 即电流的方向 (1-*) 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 三极管结构示意图和符号　PNP 型 箭头的的方向 即电流的方向 (1-*) N N P e b c N N N P P P 三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态(b、e之间有0.7V或0.2V的差值)，而集电结处于反向偏置状态。 以 NPN 型三极管为例讨论 三极管若实现放大，必须从三极管外部所加电源的极性和内部结构来保证。 对NPN管，放大时电位情况Vc＞ Vb ＞ Ve 对PNP管，放大时的电位情况Vc ＜ Vb ＜Ve 习题1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 解:如下图 PNP管 NPN管 NPN管 PNP管 PNP管 NPN管 (1-*) 三极管内部结构要求： 1. 发射区高掺杂。 2. 基区很薄，有几微米到几十微米，且掺杂较少，大大减少了电子空穴的复合。 3. 集电结面积大，以保证晶体管具有电流放大作用。 (1-*) 1.3.2 电流放大原理 b e c Rc Rb 一、晶体管内部载流子的运动 I E IB 1.发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 　　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。 2. 扩散到基区的少数自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB，复合掉的空穴由电源VBB 补充。 多数自由电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。 (1-*) b e c I E I B Rc Rb 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电