淀积光刻刻蚀第三讲分析报告.pptVIP

# Non_Uniform Grid(0.6um*0.8um) line x loc=0. spac=0.10 line x loc=0.2 spac=0.01 line x loc=0.6 spac=0.01 # line y loc=0.00 spac=0.008 line y loc=0.2 spac=0.01 line y loc=0.5 spac=0.05 line y loc=0.8 spac=0.15 # Initial Silicon Structure with 100 Orientation init silicon c.boron=1.0e14 orientation=100 two.d # Gate Oxidation diffus time=11 temp=925.727 dryo2 press=0.982979 hcl.pc=3 # extract name=Gateoxide thickness material=SiO~2 mat.occno=1 x.val=0.3 # Conformal deposit polysilicon deposit polysilicon thick=0.2 divisions=10 # Poly Etch etch polysilicon left p1.x=0.35 # Oxide Etch etch oxide left p1.x=0.2 # Conformal deposit Al deposit aluminum thick=0.03 divisions=2 # Oxide Etch etch aluminum right p1.x=0.18 struct mirror right 1、集成电路制造相关的一些概念 （本征半导体、掺杂半导体、晶圆、多晶硅、光刻、光刻胶、氧化、离子注入、淀积，刻蚀、场氧（FOX）） 2、集成电路版图相关的一些概念 （N阱、有源区、多晶硅、有源区注入、接触孔、金属线1，通孔、金属线2，掩膜板（mask）、焊盘（bonding pad）） 掺杂半导体：通过掺杂增强半导体的导电性，有N型掺杂（多电子），P型掺杂（多空穴）。 晶圆：单晶硅圆片，生产集成电路所用的载体。 多晶硅：只是一种无定形硅，用作导体，作MOS管的栅、多晶硅走线、多晶硅电阻。 光刻： 三个印象： 1、实现版图的图形转移到晶圆上； 2、产生关键尺寸； 3、光刻次数直接影响管芯成本； 三个步骤： 实现版图的图形转移到晶圆上。 （涂胶、曝光、显影） 氧化：热氧化生成SiO2薄膜； 离子注入： 离子注入的三个优点： 1、能够精确的控制掺入杂质的含量 2、能够很好的控制杂质穿透深度 3、杂质的均匀性好 主要的缺点： 1、高能杂质离子轰击硅原子对晶体结构产生损伤(可高温退火修复) 将杂质注入无掩模保护区域，集成电路工艺中最常用的掺杂方法； 淀积： 刻蚀： 选择性氧化/局部氧化（LOCOS）： 场氧（FOX）： 有源区： 在硅片表面生长形成固体薄膜； 除去硅片图层中不用区域的材料； 得到场氧（FOX） 隔离器件，有源区外全部生长场氧。 制作有源器件的区域。（MOS管，三极管，二极管） 第三讲 淀积、光刻、刻蚀 第三讲 淀积、光刻、刻蚀 半导体工艺介绍第三讲 1、淀积（deposit） 2、光刻（ photoetch ） 3、刻蚀(etch) 淀积SiO2后的结构 # deposit Oxidation deposit oxide thick=0.02 divisions=5 3.1.1 淀积 N-sub 多层次的平面工艺到立体器件结构 芯片中的多层金属 金属层，绝缘介质层，多晶硅栅等都是采用淀积形成的。 淀积可靠的薄膜材料在半导体加工工艺至关重要。 膜淀积：在半导体工艺中膜淀积是指在硅片衬底上形成一层固体薄膜。这层膜可以是导体、绝缘物质后者半导体，如SiO2,SiN3,多晶硅，金属，单晶硅。 淀积形成SiO2 淀积形成多晶硅 半导体加工中薄膜特性 1、好的台阶覆盖能力 2、好的间隙填充能力 3、好的厚度均匀性 4、对衬底材料好的粘附性 淀积的方法 化学工艺 物理工艺 化学气相沉积 （CVD） 电镀 物理气相淀积 （PVD或溅射） 蒸发 旋涂 APCVD 电镀 直流 MBE 旋涂玻璃（SOG） LPCVD 射频 旋涂绝缘介质（SOD） PECVD 磁控 HDPCVD CVD（化学气相沉积）：通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。硅片表面及其临近的区域被加热来向反应系统提供附加的能量。 （产生化学变化，成膜物质来源于外部，反应物必