光伏—单晶制绒工艺培训资料.pptVIP

单晶制绒不良—-手指印 硅片有手指印，在清洗前看不见，但是清洗后却清晰可见； 硅片切割后清洗工艺中的有机物沾污； 硅片表面的碳沾污； 硅片切割时润滑剂的粘污。如果润滑剂过粘，会出现无法有效进入刀口的现象，如润滑剂过稀则冷却效果不好。这些润滑剂在高温下有可能碳化粘附在硅片表面。 硅片经过热碱处理后提出在空气中，时间过长会与空气中的氧反应形成一层氧化层，这层氧化层一旦形成就很难再清洗下去了。因此，在碱清洗后不能在空气中暴露12秒以上。 * 油脂影响 减缓去损伤层的量 无法形成织构化的成核 表面织构化无法形成 * 油脂去除 有机溶剂+超声——有机溶剂溶解有机物质 酸性液体去除法——如RCA工艺：热硫酸煮硅片 表面活性剂 NaOCl热处理——利用O自由基的强腐蚀性 * 五、制绒工序岗位职责 工艺员： 完成工艺负责的点检项目的点检工作（工艺参数、溶液的使用寿命）。 仔细查看前几个班的交接班记录，了解前几个班出现的工艺问题及处理方法，再次出现时可减少处理时间。 负责制绒现场的问题处理（发白、雨点、水痕印、白斑），及时与扩散和PECVD技术员交流，监督生产员工的SPC测试工作。 对于出现的不良品，制定处理方案。 当班过程中，检查生产人员的无尘服穿戴、上下片操作手法以及工艺卫生状况是否符合要求，对于不符合要求的情况及时提出，并督促其整改，定期对员工进行集中培训。 协助助理工程师、工程师跟踪相关实验，统计数据，下班时，按时准确填写交接班记录。 完成安排的其他工作。 主要内容 制绒目的 制绒原理 工艺常见问题以及解决方法 制绒工序岗位职责 注意事项 制绒目的 ?? 消除表面硅片表面有机沾污（HF）和金属杂质（HCL） ?? 去除硅片表面的机械损伤层，减少表面复合中心 ?? 在硅片表面形成绒面，增加太阳光的吸收减少反射，增加PN结面积，提高短路电流（Isc），最终提高电池光电转换效率 绒面不仅仅是腐蚀坑洞，也是改善表面态的有效手段，绒面制作不好表面态难以补偿，悬挂键大幅度增加，少子寿命复合严重，Isc的提高几乎不可能。 多晶硅切割过程 切割过程中会形成机械损伤层，约10微米 陷光原理 光在光滑半导体薄片表面 陷光原理图 上的反射、折射和透射 当入射光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收，从而增加吸收率。 在绒面硅片上制成PN结太阳电池，它有以下特点: 绒面电池比光面电池的反射损失小，如果再加减反射膜，其反射率可进一步降低。 入射光在光锥表面多次折射，改变了入射光在硅中的前进方向，不仅延长了光程，增加了对红外光子的吸收，而且有较多的光子在靠近PN结附近产生光生载流子，从而增加了光生载流子的收集几率。 在同样尺寸的基片上，绒面电池的PN结面积比光面大得多，因而可以提高短路电流，转换效率也有相应提高。 绒面也带来了一些缺点:一是工艺要求提高了；二是由于它减反射的无选择性，不能产生电子空穴对的有害红外辐射也被有效地耦合入电池，使电池发热；三是易造成金属接触电极与硅片表面的点接触，使接触电阻损耗增加。 好的织构化效果 * 很好的织构化可以加强减反射膜的效果 左图中蓝色线为抛光后的Si的反射图，经过不同织构化处理之后的反射图。 右图为在织构后再沉积SiNx:H薄膜的反射光谱图。 * 二、制绒原理 单晶制绒利用低浓度碱溶液对硅片的不同晶面各项异性腐蚀形成金字塔结构。 化学反应如下： * 腐蚀速率快慢由下列三个反应速度来决定。 1、腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速率； 2、腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反应的反应速率； 3、生成物从被腐蚀物表面离开的速率。 * 腐蚀的反应物和生成物是利用腐蚀液之浓度梯度然产生的扩散现象来达到传质的目的。所以，1、3又可称为扩散限制溶解过程（diffusion－limited dissolution），通过搅拌可以提高。2的速率取决于腐蚀温度、材料、腐蚀液种类及浓度，和搅拌方式无关，被成为反应限制溶解过程（reaction－rate limited dissolution）。各向异性就是由化学反应的各向速率不同造成的。 原理——各项异性原因 * Si+2NaOH+H2O==Na2SiO3+2H2 1、水分子的屏蔽效应（screening effect）阻挡了硅原子与OH根离子的作用，而水分子的屏蔽效应又以原子排列密度越高越明显。 2、在{111}晶面族上，每个硅原子具有三个共价健与晶面内部的原子健结及一个裸露于晶格外面的悬挂健，{100}晶面族每一个硅原子具有两个共 {111} {100} 价健及两个悬挂