第4章离子注入解析：.pptVIP

第四章 离子注入 本章主要内容 离子注入 离子注入发展于20世纪60年代，是一种代替高温扩散向半导体中引进掺杂剂的方法。离子注入已成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。一般CMOS制程，大约需要6~12个或更多的离子注入步骤。 离子注入是将掺杂剂通过离子注入机的离化、加速和质量分析，成为一束由所需杂质离子组成的高能离子流而投入半导体晶片（俗称为靶）内部，并通过逐点扫描完成对晶片的注入。 离子注入 离子注入 注入的离子纯度高 可以精确控制掺杂原子数目 温度低,小于400℃,掩蔽材料不需耐高温 离子注入深度随离子能量的增加而增加，掺杂深度可控 非平衡过程，杂质含量不受固溶度限制 低温注入，避免高温扩散所引起的热缺陷 横向扩散效应比热扩散小得多 离子通过硅表面的薄膜注入，薄膜起到保护膜的作用，防止污染。 化合物半导体在高温处理时可能发生变化，采用离子注入可以对化合物半导体进行掺杂 离子注入 离子注入 核碰撞和电子碰撞 核碰撞和电子碰撞 核阻止本领 电子阻止本领 核阻止本领和电子阻止本领比较 核阻止本领和电子阻止本领比较 注入离子在无定形靶中的分布 注入离子在无定形靶中的分布 注入离子在无定形靶中的分布 注入离子在无定形靶中的分布 注入离子在无定形靶中的分布 注入离子在无定形靶中的分布 离子注入的沟道效应 1.倾斜样品表面，晶体的主轴方向偏离注入方向，典型值为7°； 2.先重轰击晶格表面，形成无定型层； 3.表面长二氧化硅、氮化硅、氧化铝无定型薄层。 即使晶体某个晶向平行于离子注入方向,但注入离子进入晶体前,在无定形的介质膜中多次碰撞后已经偏离了入射方向,偏离了晶向。 在无定形靶运动的离子由于碰撞方向不断改变，因而也会有部分离子进入沟道，但在沟道运动过程中又有可能脱离沟道，故对注入离子峰值附近的分布并不会产生实质性的影响。 浅结的形成 浅结的形成 注入损伤 级联碰撞 级联碰撞 级联碰撞 简单晶格损伤 热退火 热退火 热退火 硅的退火特性 硼的退火特性 500 ℃以下，无规则分布的点缺陷，例如间隙原子、空位等，随退火温度上升，移动能力增强，因此间隙硼和硅原子与空位的复合几率增加，使点缺陷消失，替位硼的浓度上升，电激活比例增大，提高了自由载流子浓度。 500~600 ℃范围内，点缺陷通过重新组合或结团，形成较大尺寸的缺陷团，降低其能量。因硼原子非常小并和缺陷团有很强的作用，很容易迁移或被结合到缺陷团中，处于非激活位置，因而会出现随温度的升高而替位硼的浓度下降的现象，也就是自由载流子浓度随温度上升而下降的现象。 600 ℃以上，硼的替位浓度以接近于5eV的激活能随温度上升而增加， 硼的退火特性 磷的退火特性 热退火过程中的扩散效应 快速热退火 快速热退火 脉冲激光法 若激光辐射区域仍为固相，非晶区是通过固相外延再生长过程变为晶体结构，称为固相外延模型；液相则为液相外延。液相外延的退火效果比固相的好，但因注入区变为液相，杂质扩散情况更严重。 激光退火的特点时间短，杂质几乎不扩散，衬底中及其他电学参数基本不受影响。可选择局部退火，通过选择波长和改变能量密度，可在深度上和表面上进行不同的退火过程，在同一硅片上制造出不同结深或不同击穿电压的器件。较好的消除缺陷，使注入杂质的电激活率很高。 其他形式快速热退火 作 业 1. 离子注入掺杂纯度高，是因为（ ） A.杂质源的纯度高 B.注入离子是通过质量分析器选出来的 2. 离子注入与热扩散相比，哪个要求温度低（ ） A.离子注入 B.热扩散 3. 离子注入与热扩散相比，哪个高浓度掺杂不受固溶度限制（ ） A.离子注入 B.热扩散 作 业 5. 离子注入与热扩散相比，哪个掺杂均匀性好（ ） A.离子注入 B.热扩散 6. 离子注入与热扩散相比，哪个可精确控制掺杂浓度，分布和注入深度（ ） A.离子注入 B.热扩散 7. 离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（ ） A.离子注入 B.热扩散 8. 减弱或消除沟道现象的措施有（ ） (1)入射方向偏离沟道轴向； (2)入射方向平行沟道轴向； (3)样品表面淀积一层二氧化硅； (4)样品表面淀积一层氮化硅。 A．(1)(3) B. (2)(3) C.(1)(3)(4) D.(2)(3)(4) 作 业 9. 离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性，主要影响有（ ） (1)PN结反向漏电流增大 (2)载流子迁移率下降 (3)少子寿命下降 (4)杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能 A.(2)(3) B.(1)(2)(4) C.(2