第八章霍尔式传感器解析：.pptVIP

8.霍尔传感器 霍尔式传感器——1.霍尔效应 1.霍尔效应：置于磁场中的导体(或半导体),当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向会产生电动势(霍尔电势),原因是电荷受到洛伦兹力的作用。 8.1 霍尔式传感器——1.霍尔效应 8.1 霍尔式传感器——1.霍尔效应 1.额定激励电流—— 当霍尔元件自身温升10度时所流过的激励电流 2.最大允许激励电流—— 以元件最大温升为限制所对应的激励电流 3.输入电阻Ri——激励电极间的电阻 4.输出电阻Ro——电压源内阻 5.不等位电势U0—— 当霍尔元件的激励电流为I时,若元件所处位置磁感应强度为零,则霍尔电势应该为0,但实际不为零,此时测得的空载霍尔电势。 6.不等位电阻r0—— 7.寄生直流电势—— 当外加磁场为零,霍尔元件用交流激励时所产生的直流电势。 8.霍尔电势温度系数—— 在一定磁感应强度和激励电流下,温度每变化1℃时,霍尔电势变化的百分率。 两点误差： 1.不等位电势 原因：①电极引出时偏斜②半导体的电阻特性(等势面倾斜)造成③激励电极接触不良。 两点误差： 2.寄生直流电势 原因: (1)控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时,会产生整流效应。 (2)两个霍尔电极焊点的不一致,引起两电极温度不同产生温差电势 (2)电路补偿 可以把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥,不等位电势就相当于电桥的初始不平衡输出电压。 产生原因： (1)霍尔元件的基片是半导体材料,因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。 (2)当温度变化时,霍尔元件的一些特性参数,如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化,从而使霍尔式传感器产生温度误差。 减小霍尔元件的温度误差措施 初始状态：KH0,Ri0, 　　　　　　　　 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　 1.微位移和压力的测量 测量原理： 霍尔电势与磁感应强度成正比,若磁感应强度是位置的函数,则霍尔电势的大小就可用来反映霍尔元件的位置。 应用： 位移测量、力、压力、应变、机械振动、加速度 霍尔计数装置 3.电流的测量——电流计 将霍尔元件垂直置于磁环开口气隙中,让载流导体穿过磁环,由于磁环气隙的磁感应强度B与待测电流I成正比,当霍尔元件控制电流IH 一定时,霍尔输出电压UH 则正比于待测电流I,这种非接触检测安全简便,适用于高压线电流检测。 4.磁场的测量——高斯计 将霍尔元件垂直置于磁场B中，输入恒定的控制电流I，则霍尔输出电压UH 正比于磁感应强度B，此方法可以测量恒定或交变磁场的高斯数。 5、集成霍尔元件 线性集成电路(测位移、测振动) 8.2 磁电感应式传感器 8.2.1磁电感应式传感器工作原理 2、根据电磁感应定律,当w匝线圈在恒定磁场内运动时,设穿过线圈的磁通为Φ,则线圈内的感应电势E与磁通变化率dΦ/dt有如下关系: 8.2.1磁电感应式传感器工作原理 8.2.1磁电感应式传感器工作原理-变磁通式 磁阻式磁电传感器 线圈和磁铁部分都是静止的,与被测物连接而运动的部分是用导磁材料制成的,在运动中,它们改变磁路的磁阻,因而改变贯穿线圈的磁通量,在线圈中产生感应电动势。 用来测量转速，线圈中产生感应电动势的频率作为输出,而感应电动势的频率取决于磁通变化的频率。 结构：开磁路、闭磁路 8.2.1磁电感应式传感器工作原理-变磁通式 8.2.1磁电感应式传感器工作原理 8.2.1磁电感应式传感器工作原理-恒磁通式 1.动圈式磁电传感器原理 8.2.1磁电感应式传感器工作原理-恒磁通式 2.动圈式磁电传感器结构 (1)磁路系统 由它产生恒定直流磁场。为了减小传感器的体积,一般都采用永久磁铁； (2)线圈 由它运动切割磁力线产生感应电 动势。作为一个完整的磁电式传感器, 除了磁路系统和线圈外,还有一些其 它元件,如壳体、支承、阻尼器、接 线装置等。 8.2.1磁电感应式传感器工作原理-变磁通式 8.2.2磁电感应式传感器应用-恒磁通式 磁电式振动传感器的结构原理 第三节 霍尔传感器的应用 霍尔电势是关于I、B、? 三个变量的函数，即 EH=KHIBcos? 。利用这个关系可以使其中两个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中一个量，其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。 霍尔特斯拉计（高斯计） 霍尔元件 霍尔高斯计（特斯拉计）的使用 霍尔元件 霍尔传感器用于测量磁场强度 霍尔元件 霍尔转速表 在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机