太阳能电池工作原理教案分析.pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第三章 太阳能光伏发电技术 3.1.太阳能光伏发展历史和现状 3.2 太阳能电池工作原理 3.3 太阳能电池制造工艺 3.4 太阳能光伏发电系统设备构成 3.5 独立光伏发电系统 3.6 并网光伏发电系统 第二节 太阳能电池工作原理 太阳能电池工作原理 基本原理  太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,即一些半导体材料受到光照时,载流子数量会剧增,导电能力随之增强,这就是半导体的光敏特性。 基本原理 当太阳光照射到半导体上时,其中一部分被表面反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光,当然有一些变成热,另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电子—空穴对。这样,光能就以产生电子—空穴对的形式转变为电能。 基本原理 如果半导体内存在P—N结,则在P型和N型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向N区,空穴驱向P区,从而使得N区有过剩的电子,P区有过剩的空穴,在P—N结附近形成与势垒电场方向相反光的生电场。 基本原理 若分别在P型层和N型层焊上金属引线,接通负载,则外电路便有电流通过。如此形成的一个个电池元件,把它们串联、并联起来,就能产生一定的电压和电流,输出功率。 基本原理 基本原理 制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种,因此太阳电池的种类也很多。目前,技术最成熟,并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池。下面我们以硅太阳能电池为例,详细介绍太阳能电池的工作原理。 一、太阳能电池的物理基础 1、本征半导体 物质的导电性能决定于原子结构。导体一般为低价元素,它们的最外层电子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子,在外电场的作用下产生定向移动,形成电流。高价元素(如惰性气体)或高分子物质(如橡胶),它们的最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子,所以导电性极差,成为绝缘体。常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素,它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚的那么紧,因而其导电性介于二者之间。 1、本征半导体 定义: 将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体, 即为本征半导体。 晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,相邻的原子 形成共价键。 1、本征半导体 晶体中的共价键具有极强的结合力,因此,在常温下,仅有极少数的价电子由于热运动(热激发)获得足够的能量,从而挣脱共价键的束缚变成为自由电子。与此同时,在共价键中留下一个空穴。原子因失掉一个价电子而带正电,或者说空穴带正电。在本征半导体中,自由电子与空穴是成对出现的,即自由电子与空穴数目相等。 1、本征半导体 本征激发: 半导体在光照或热辐射激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。 1、本征半导体 复合: 自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失,这种现象称为复合。 在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子和空穴对数目相等,故达到动态平衡。 1、本征半导体 能带理论: 单个原子中的电子在绕核运动时,在各个轨道上的电子都各自具有特定的能量; 越靠近核的轨道,电子能量越低; 根据能量最小原理电子总是优先占有最低能级; 1、本征半导体 能带理论: 价电子所占据的能带称为价带; 价带的上面有一个禁带,禁带中不存在为电子所占据的能级; 禁带之上则为导带,导带中的能级就是价电子挣脱共价键束缚而成为自由电子所能占据的能级; 禁带宽度用Eg表示,其值与半导体的材料及其所处的温度等因素有关。 2、杂质半导体 杂质半导体:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量杂质元素,便可得到杂质半导体。 按掺入的杂质元素不用,可形成N型半导体和P型半导体;控制掺入杂质元素的浓度,就可控制杂质半导体的导电性能。 2、杂质半导体 N型半导体: 在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。 2、杂质半导体 由于杂质原子的最外层有五个价电子,所以除了与其周围硅原子形成共价键外,还多出一个电子。多出的电子不受共价键的束缚,成为自由电子。N型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故称自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。由于杂质原子可以提供电子,故称之为施主原子。 2、杂质半导体 P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。 2、杂质半导体 由于杂质原子的最外层有三个价电子,所以当它们与其周围硅原子形成共价键时,就产生

文档评论(0)

三沙市的姑娘 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档