立方氮化硼讲义.ppt

立方氮化硼CBN(Cubic Boron Nitride) 主要内容 氮化硼和立方氮化硼 立方氮化硼介绍 立方氮化硼制备 立方氮化硼(cBN)主要性能 氮化硼材料的应用 氮化硼材料的发展方向 立方氮化硼(cBN)薄膜制备方法 立方氮化硼(cBN)薄膜制备问题分析 1.2 溅射镀膜 (1) 直流二极、三极和四极溅射 此种溅射方法的优点是装置简单，工艺控制较容易。缺点是沉膜效率低，基体温度易升高，气体分子进入薄膜中量大。M.Ben el Mekki 等[3]曾对用离子束辅助沉积法和三极溅射法所制的膜进行性能比较，发现三极溅射制得的膜与基体结合力低且表面较粗糙。 (2) 射频溅射(RFS) RFS 是将一部分射频功率加在靶上，从中溅射出B 原子和N+离子。另一部分功率加在基体上，产生射频自直流负偏压，改变射频功率的分配系数，负偏压可从0～－100 V 变化。调节离子能量，可制备SP3 含量高的cBN 膜，沉积温度一般为300 ℃，沉积速率为4.0 nm/min。S.Logothetidis 等[4]在硅上分别用射频溅射和离子束溅射法制备cBN 膜，其中用射频溅射法制得的薄膜厚度为600 nm，具有更高的立方相含量和硬度。 (3) 磁控溅射(MS) 磁控溅射的原理如图 (pvd) (4) 离子束溅射(IBS) 1.3 离子镀 (IP) 离子镀在原理上是蒸发工艺与溅射技术的结 合，比蒸发镀膜在结合力方面有很大的改善。离 子镀制备cBN 膜时，其残余应力随膜中立方相量 的增加而增加，致使结合强度的提高受到限制 K.L.Barth 等用空心阴极放电离子镀装置获cBN 最大含量达95%的薄膜，厚度达580nm 没有剥落，但其内应力较高，达10 GPa。 2.2 化学气相沉积法 2.2.1 热化学气相沉积法 (HCVD) HCVD 装置一般由耐热石英管和加热装置组成，反应气体一般采用BCl3 或B2H6 和NH3 的混合气体。J.M.Albella 等[9]曾用此法制备cBN 膜, 膜中只获得少量cBN 晶体。其典型沉积温度为600～1000 ℃，沉积速率为12.5～60 nm/min。但热化学气相沉积法制备cBN 时存在氯腐蚀、排出氨气、生成氯的副产品等问题。 2.2.2 低压化学气相沉积法(LPCVD) LPCVD 要求气体在低压下发生化学反应，一般用B3N3H6 作为反应气体，He 作为载气，典型的沉积速率为2.5 nm/min。S.S.Dana 等[10]曾用LPCVD制备成高质量的cBN 膜。与常压CVD 方法比较，其生产成本是原来的1/5，且大大改善了均匀性。但得到的薄膜厚度很薄，且与基体的结合力不够。 2.2.3 等离子体增强化学气相沉积法（PECVD） RF-PECVD 是PECVD中制备cBN的最典型的方法。它利用射频电源使原料气体成为等离子体，促进cBN 晶体的形成。廖克俊等[11]利用直流等离子体技术实现了cBN 膜的高速率生长，在Si、Mo 等衬底上薄膜沉积速率高达10 μm/h；且膜层cBN 含量较高，与基体之间结合力较好。 立方氮化硼薄膜制备中存在的主要问题 (1)薄膜厚度和纯度 由于膜与基体的结合力弱，延长沉积时间往往导致薄膜在沉积过程脱落，从而限制了立方氮化硼的沉积厚度，一般不超过400 nm；同时用不同方法获得的立方氮化硼膜，总含有一些非立方相(如hBN、t-BN 或á-BN 等)，纯度一般不超过90% 。 (2)结晶性 由于离子的轰击，用气相沉积所获得的立方氮化硼的晶粒很小(5～20nm) ，限制了立方氮化硼膜在半导体上的应用。 (3)在非硅基体上沉积立方氮化硼困难 目前立方氮化硼薄膜合成的报导基本上都是以单晶硅为基体，而在非硅基体上沉积立方氮化硼膜非常困难，且膜与基体的结合力更差。在非硅基体上成功沉积立方氮化硼薄膜是实现其在实际上应用的前提。 (4)薄膜与基体的结合力问题 根据残余应力理论，cBN 膜只能在大密度离子轰击下才能形成，这就不可避免地要在膜内产生极大的残余应力。影响了薄膜与基体的结合强度。此 外，cBN 膜的晶格常数与各种衬底相差较大，也是引起剥落的重要原因。 * * 氮化硼是由氮原子和硼原子所构成的晶体。化学组成为43.6%的硼和56.4%的氮，具有四种不同的变体：六方氮化硼（HBN)、菱方氮化硼（RBN）、立方氮化硼(CBN)和纤锌矿氮化硼(WBN)。 六方氮化硼的制备 方法一 目前国内主要的生产方法是无水硼砂与氯化铵或尿素等 混合后, 1000℃下在管式炉中于氨气保护下反应,然后水 洗,酸洗 方法二 无水硼砂与三聚氰胺作为硼源及氮源反应 该方法经高温精制工序会生成 较大结晶. 方法三 使用硼酸和三聚氰胺分别作为硼源和氮源 低温产品经高温精制后